M12L16161A-7T_集成电路资料查询网

M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
19
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
读 &放大; 写 循环 和 自动 precharge @ burst 长度 =4
*note: 1.
t
CDL
应当 是 控制 至 满足 最小
t
RAS
在之前 内部的 precharge 开始
(在 这 情况 的 burst 长度=1 &放大; 2 和 brsw 模式)
0           1           2           3          4           5           6           7           8          9          10        11         12         13        14         15         16         17        18         19
C L O C K
C K E
C 一个 S
一个 D D R
W E
DQ
DQM
一个 1 0 / 一个 P
  B 一个
C L = 2
C L = 3
行  起作用的
(  一个 - bank )
行 起作用的
( b - bank )
读 和
自动  precharge
( 一个 - bank )
一个 u t o  P r e c h 一个 r g e
  S t 一个 r t  P o i n t
   ( B - B 一个 n k )
: do n 't  c 一个 r e
Q 一个 1
Q 一个 2
Q 一个 3 D b 1
D b 2 D b 3
D b 0
Q 一个 0
R 一个
C b
R 一个
C 一个
R b
R b
Q 一个 1
Q 一个 2
Q 一个 3
D b 1 D b 2
D b 3
D b 0
Q 一个 0
   W r i t e  w i t h
一个 u t o  P r e c h 一个 r g e
    ( B - B 一个 n k )
H I G H
自动 precharge
开始 要点
( 一个 - bank)
C S
R 一个 S
CL=2
自动 precharge
开始 要点
( 一个 - bank)
CL=3

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M12L16161A elite 半导体记忆技术公司 p. 19 发行日期 : jan. 2000 修订 : 1.3u 读 &放大; 写循环和自动 precharge @ burst 长度 =4 *note: 1. t CDL 应当是控制至满足最小 t RAS 在之前内部的 precharge 开始 (在这情况的 burst 长度=1 &放大; 2 和 brsw 模式) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 C L O C K C K E C 一个 S 一个 D D R W E DQ DQM 一个 1 0 / 一个 P B 一个 C L = 2 C L = 3 行起作用的 ( 一个 - bank ) 行起作用的 ( b - bank ) 读和自动 precharge ( 一个 - bank ) 一个 u t o P r e c h 一个 r g e S t 一个 r t P o i n t ( B - B 一个 n k ) : do n 't c 一个 r e Q 一个 1 Q 一个 2 Q 一个 3 D b 1 D b 2 D b 3 D b 0 Q 一个 0 R 一个 C b R 一个 C 一个 R b R b Q 一个 1 Q 一个 2 Q 一个 3 D b 1 D b 2 D b 3 D b 0 Q 一个 0 W r i t e w i t h 一个 u t o P r e c h 一个 r g e ( B - B 一个 n k ) H I G H 自动 precharge 开始要点 ( 一个 - bank) C S R 一个 S CL=2 自动 precharge 开始要点 ( 一个 - bank) CL=3

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