m41st84y, m41st84w
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数据 保持 模式
和 有效的 v
CC
应用, 这 m41st84y/w 能 是
accessed 作 描述 在之上 和 读 或者
写 循环. 应当 这 供应 电压 decay,
这 m41st84y/w 将 automatically deselect,
写 protecting 它自己 当 v
CC
falls 在
V
PFD
(最大值) 和 v
PFD
(最小值). 这个 是 accomplished
用 内部 inhibiting 进入 至 这 时钟 regis-
ters. 在 这个 时间, 这 重置 管脚 (rst
) 是 驱动 交流-
tive 和 将 仍然是 起作用的 直到 v
CC
returns 至
名义上的 水平. 当 v
CC
falls 在下 这 电池
后面的-向上 switchover 电压 (v
所以
), 电源 输入 是
切换 从 这 v
CC
管脚 至 这 snaphat
®
(或者
外部) 电池, 和 这 时钟 寄存器 和
sram 是 maintained 从 这 连结 电池
供应.
所有 输出 变为 高 阻抗. 在 电源 向上,
当 v
CC
returns 至 一个 名义上的 值, 写 protec-
tion 持续 为 t
REC
. 这 rst信号 也 re-
mains 起作用的 在 这个 时间 (看 图示 16, 页
14).
为 一个 更远 更多 详细地 review 的 存在期 calcu-
lations, 请 看 应用 便条 an1012.
图示 16. 电源 向下/向上 模式 交流 波形
表格 8. 电源 向下/向上 交流 特性
便条: 1. 有效的 为 包围的 运行 温度: t
一个
= –40 至 85°c; v
CC
= 2.7 至 3.6v 或者 4.5 至 5.5v (except 在哪里 noted).
2. V
PFD
(最大值) 至 v
PFD
(最小值) 下降 时间 的 较少 比 tf 将 结果 在 deselection/写 保护 不 occurring 直到 200µs 之后 v
CC
passes
V
PFD
(最小值).
3. V
PFD
(最小值) 至 v
SS
下降 时间 的 较少 比 t
FB
将 导致 corruption 的 内存 数据.
4. 可编程序的 (看 表格 13, 页 23)
5. 在 25°c (当 使用 soh28 + m4t28-br12sh snaphat 顶); v
CC
= 0v.
标识
参数
(1)
最小值 典型值 最大值 单位
t
F
(2)
V
PFD
(最大值) 至 v
PFD
(最小值) v
CC
下降 时间
300 µs
t
FB
(3)
V
PFD
(最小值) 至 v
SS
V
CC
下降 时间
10 µs
t
PFD
pfi 至 pfo 传播 延迟 15 25 µs
t
R
V
PFD
(最小值) 至 v
PFD
(最大值) v
CC
上升 时间
10 µs
t
RB
V
SS
至 v
PFD
(最小值) v
CC
上升 时间
1µs
t
rec(4)
电源 向上 deselect 时间 40 200 ms
t
DR
(5)
预期的 数据 保持 时间
10
年
AI03681
V
CC
输入
(每 控制 输入)
输出
don't 小心
高-z
tF
tFB
tR
tRB
tDR
有效的 有效的
(每 控制 输入)
RECOGNIZEDRECOGNIZED
V
PFD
(最大值)
V
PFD
(最小值)
V
所以
tREC
RST
PFO
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