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m41st85y, m41st85w
数据 保持 模式
和 有效的 v
CC
应用, 这 m41st85y/w 能 是
accessed 作 描述 在之上 和 读 或者
写 循环. 应当 这 供应 电压 decay,
这 m41st85y/w 将 automatically deselect,
写 protecting 它自己 (和 任何 外部 sram)
当 v
CC
falls 在 v
PFD
(最大值) 和
V
PFD
(最小值). 这个 是 accomplished 用 内部 在-
hibiting 进入 至 这 时钟 寄存器. 在 这个 时间,
这 重置 管脚(rst
) 是 驱动 起作用的 和 将 re-
主要的 起作用的 直到 v
CC
returns 至 名义上的 水平. ex-
ternal 内存 进入 是 inhibited 在 一个 类似的 manner
用 forcing e
CON
至 一个 高 水平的. 这个 水平的 是 在里面
0.2 伏特 的 这 v
BAT
. e
CON
将 仍然是 在 这个 水平的
作 长 作 v
CC
仍然是 在 一个 输出-的-容忍 con-
dition. 当 v
CC
falls 在下 这 电池 后面的-向上
switchover 电压 (v
所以
), 电源 输入 是 切换
从 这 v
CC
管脚 至 这 snaphat
®
电池, 和
这 时钟 寄存器 和 外部 sram 是 主要的-
tained 从 这 连结 电池 供应.
所有 输出 变为 高 阻抗. 这 v
输出
管脚
是 有能力 的 供应 100 µa 的 电流 至 这 在-
tached 记忆 和 较少 比 0.3 伏特 漏出 下面
这个 情况. 在 电源 向上, 当 v
CC
returns 至
一个 名义上的 值, 写 保护 持续 为
t
REC
用 inhibiting e
CON
. 这 rst信号 也 re-
mains 起作用的 在 这个 时间 (看 图示 17, 页
16).
便条:
大多数 低 电源 srams 在 这 market 至-
日 能 是 使用 和 这 m41st85y/w rtc su-
pervisor. 那里 是, 不管怎样 一些 criteria
这个 应当 是 使用 在 制造 这 最终 选择 的
一个 sram 至 使用. 这 sram 必须 是 设计 在
一个 方法 在哪里 这 碎片 使能 输入 使不能运转 所有 oth-
er 输入 至 这 sram. 这个 准许 输入 至 这
m41st85y/w 和 srams 至 是 “don’t care”
once v
CC
falls 在下 v
PFD
(最小值). 这 sram
应当 也 保证 数据 保持 向下 至
V
CC
=2.0 伏特. 这 碎片 使能 进入 时间 必须
是 sufficient 至 满足 这 系统 needs 和 这
碎片 使能 输出 传播 延迟 包含. 如果
这 sram 包含 一个 第二 碎片 使能 管脚 (e2),
这个 管脚 应当 是 系 至 v
输出
.
如果 数据 保持 存在期 是 一个 核心的 参数 为
这 系统, 它 是 重要的 至 review 这 数据 reten-
tion 电流 规格 为 这 particular
srams 正在 evaluated. 大多数 srams 具体说明 一个
数据 保持 电流 在 3.0 伏特. manufacturers
一般地 具体说明 一个 典型 情况 为 房间 tem-
perature along 和 一个 worst 情况 情况 (gener-
ally 在 提升 温度). 这 系统 水平的
(所需的)东西 将 决定 这 选择 的 这个
值 至 使用. 这 数据 保持 电流 值 的
这 srams 能 然后 是 增加 至 这 i
BAT
值 的
这 m41st85y/w 至 决定 这 总的 电流 re-
quirements 为 数据 保持. 这 有 bat-
tery capacity 为 这 snaphat
®
的 your 选择
能 然后 是 分隔 用 这个 电流 至 决定
这 数量 的 数据 保持 有 (看 表格
15, 页 27).
为 一个 更远 更多 详细地 review 的 存在期 calcu-
lations, 请 看 应用 便条 an1012.
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