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资料编号:462941
 
资料名称:M59DR016DZB
 
文件大小: 240.77K
   
说明
 
介绍:
16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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m59dr016c, m59dr016d
表格 17. 程序, 擦掉 时间 和 程序, 擦掉 忍耐力 循环
(t
一个
= 0 至 70°c; v
DD
= v
DDQ
= 1.65v 至 2.2v, v
PP
= v
DD
除非 否则 指定)
便条: 1. 最大值 值 谈及 至 这 最大 时间 允许 用 这 内部的 algorithm 在之前 错误 位 是 设置. worst 情况 情况 程序 或者
擦掉 应当 执行 significantly 更好的.
2. excludes 这 时间 需要 至 execute 这 sequence 为 程序 操作指南.
3. 一样 定时 值 如果 v
PP
= 12v.
参数
M59DR016
单位
最小值
最大值
(1)
典型值
典型 之后
100k w/e 循环
参数 块 (4 kword) 擦掉 (preprogrammed) 2.5 0.15 0.4 s
主要的 块 (32 kword) 擦掉 (preprogrammed) 10 1 3 s
bank 擦掉 (preprogrammed, bank 一个) 2 6 s
bank 擦掉 (preprogrammed, bank b) 10 30 s
碎片 程序
(2)
20 25 s
碎片 程序 (dpg, v
PP
= 12v)
(2)
10 s
文字 程序
(3)
200 10 10
µs
翻倍 文字 程序 200 10 10 µs
程序/擦掉 循环 (每 块) 100,000 循环
电源 消耗量
电源 向下
这 记忆 提供 重置/电源 向下 控制
输入 rp
. 这 电源 向下 函数 能 是 acti-
vated 仅有的 如果 这 相关的 配置 寄存器 位
是 设置 至 ’1’. 在 这个 情况, 当 这 rp
信号 是
牵引的 在 v
SS
这 供应 电流 drops 至 典型地
I
CC2
(看 表格 22), 这 记忆 是 deselected 和
这 输出 是 在 高 阻抗.如果 rp
是 牵引的
至 v
SS
在 一个 程序 或者 擦掉 运作, 这个
运作 是 aborted 在 t
PLQ7V
和 这 记忆
内容 是 非 变长 有效的 (看 重置/电源 向下
输入 描述).
电源 向上
这 记忆 command 接口 是 重置 在 pow-
er 向上 至 读 排列. 也 e
或者 w必须 是 系 至
V
IH
在 电源 向上 至 准许 最大 安全
和 这 possibility 至 写 一个 command 在 这 第一
rising 边缘 的 w
.
供应 围栏
正常的 预防措施 必须 是 带去 为 供应 volt-
age 解耦; 各自 设备 在 一个 系统 应当
有 这 v
DD
围栏 decoupled 和 一个 0.1µf capac-
itor 关闭 至 这 v
DD
, v
DDQ
和 v
SS
管脚. 这 pcb
查出 widths 应当 是 sufficient 至 carry 这 re-
quired v
DD
程序 和 擦掉 电流.
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