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资料编号:462941
 
资料名称:M59DR016DZB
 
文件大小: 240.77K
   
说明
 
介绍:
16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
m59dr016c, m59dr016d
20/37
表格 24. 直流 特性
(ta = 0 至 70°c 或者 –40 至 85°c; v
DD
= v
DDQ
= 1.65v 至 2.2v)
便条: 1. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
2. V
PP
将 是 连接 至 12v 电源 供应 为 一个 总的 的 较少 比 100 hrs.
3. 为 标准 程序/擦掉 运作 v
PP
是 don’t 小心.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流
0V
V
V
DD
±1 µA
I
LO
输出 泄漏 电流
0V
V
输出
V
DD
±5 µA
I
CC1
供应 电流
(读 模式)
E
= v
IL
, g= v
IH
, f = 6mhz
10 20 毫安
I
CC2
供应 电流
(电源 向下)
RP
= v
SS
± 0.2v
210µA
I
CC3
供应 电流 (备用物品)
E
= v
DD
± 0.2v
15 50 µA
I
CC4
(1)
供应 电流
(程序 或者 擦掉)
文字 程序, 块 擦掉
在 progress
10 20 毫安
I
CC5
(1)
供应 电流
(双 bank)
程序/擦掉 在 progress
在 一个 bank, 读 在 这
其它 bank
20 40 毫安
I
PP1
V
PP
供应 电流
(程序 或者 擦掉)
V
PP
= 12v ± 0.6v
510mA
I
PP2
V
PP
供应 电流
(备用物品 或者 读)
V
PP
V
CC
0.2 5 µA
V
PP
= 12v ± 0.6v
100 400 µA
V
IL
输入 低 电压 –0.5 0.4 V
V
IH
输入 高 电压
V
DDQ
–0.4 V
DDQ
+ 0.4
V
V
OL
输出 低 电压
I
OL
= 100µa
0.1 V
V
OH
输出 高 电压
CMOS
I
OH
= –100µa V
DDQ
–0.1
V
V
PP
(2,3)
V
PP
供应 电压
(程序 或者 擦掉)
–0.4
V
DD
+ 0.4
V
翻倍 文字 程序 11.4 12.6 V
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