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m59dr016c, m59dr016d
信号 描述
看 图示 1 和 表格 1.
地址 输入 (a0-a19).
这 地址 输入
为 这 记忆 排列 是 latched 在 一个 写 运算-
限定 在 这 下落 边缘 的 碎片 使能 e
或者
写 使能 w
, whichever occurs last.
数据 输入/输出 (dq0-dq15).
这 输入 是
数据 至 是 编写程序 在 这 记忆 排列 或者 一个
command 至 是 写 至 这 command 接口
(c.i.) 两个都 输入 数据 和 commands 是 latched
在 这 rising 边缘 的 写 使能 w
. 这 输出
是 数据 从 这 记忆 排列, 这 一般 flash
接口, 这 电子的 signature 生产者
或者 设备 代号, 这 块 保护 状态, 这
配置 寄存器 状态 或者 这 状态 regis-
ter 数据 polling 位 dq7, 这 toggle 位 dq6 和
dq2, 这 错误 位 dq5. 这 数据 总线 是 高 im-
pedance 当 这 碎片 是 deselected, 输出 en-
能 g
是 在 v
IH
, 或者 rp是 在 v
IL
.
碎片 使能 (e
).
这 碎片 使能 输入 acti-
vates 这 记忆 控制 逻辑, 输入 缓存区, de-
coders 和 sense 放大器. e
在 v
IH
deselects
这 记忆 和 减少 这 电源 消耗量
至 这 备用物品 水平的. e
能 也 是 使用 至 控制
writing 至 这 command 寄存器 和 至 这 memo-
ry 排列, 当 w
仍然是 在 v
IL
.
输出 使能 (g
).
这 输出 使能 门 这
输出 通过 这 数据 缓存区 在 一个 读 运算-
限定. 当 g
是 在 v
IH
这 输出 是 高 im-
pedance.
写 使能 (w
).
这个 输入 控制 writing 至
这 command 寄存器 和 数据 latches. 数据 是
latched 在 这 rising 边缘 的 w
.
写 保护 (wp
).
这个 输入 给 一个 增加-
al 硬件 保护 水平的 相反 程序 或者
擦掉 当 牵引的 在 v
IL
, 作 描述 在 这 块
锁 操作指南 描述.
重置/电源 向下 输入 (rp
).
这 rp输入
提供 硬件 重置 的 这 记忆 (没有
影响 这 配置 寄存器 状态), 和/
或者 电源 向下 功能, 取决于 在 这 con-
figuration 寄存器 状态. 重置/电源 向下 的
这 记忆 是 达到 用 拉 rp
至 v
IL
为 在
least t
PLPH
. 当 这 重置 脉冲波 是 给, 如果 这
记忆 是 在 读, 擦掉 suspend 读 或者
备用物品, 它 将 输出 新 有效的 数据 在 t
PHQ7V1
af-
ter 这 rising 边缘 的 rp
. 如果 这 记忆 是 在 擦掉
或者 程序 模式, 这 运作 将 是 aborted
和 这 重置 恢复 将 引领 一个 最大 ot
t
PLQ7V
. 这 记忆 将 recover 从 电源
向下 (当 使能) 在 t
PHQ7V2
之后 这 rising
边缘 的 rp
. 看 tables 25, 26 和 图示 9.
V
DD
和 v
DDQ
供应 电压 (1.65v 至 2.2v).
这 主要的 电源 供应 为 所有 行动 (读,
程序 和 擦掉). v
DD
和 v
DDQ
必须 是 在
这 一样 电压.
V
PP
程序编制 电压 (11.4v 至 12.6v).
使用
至 提供 高 电压 为 快 工厂 程序-
ming. 高 电压 在 v
PP
管脚 是 必需的 至 使用
这 翻倍 文字 程序 操作指南. 它 是 也
可能 至 执行 文字 程序 或者 擦掉 instruc-
tions 和 v
PP
管脚 grounded.
V
SS
地面.
V
SS
是 这 涉及 为 所有 这 volt-
age 度量.
设备 行动
这 下列的 行动 能 是 执行 使用
这 适合的 总线 循环: 读 排列 (随机的,
和 页 模式), 写 command, 输出 dis-
能, 备用物品, 重置/电源 向下 和 块
locking. 看 表格 8.
读.
读 行动 是 使用 至 输出 这
内容 的 这 记忆 排列, 这 电子的 sig-
nature, 这 状态 寄存器, 这 cfi, 这 块
保护 状态 或者 这 配置 寄存器
状态. 读 运作 的 这 记忆 排列 是 每-
formed 在 异步的 页 模式, 那 提供
快 进入 时间. 数据 是 内部 读 和 贮存
在 一个 页 缓存区. 这 页 有 一个 大小 的 4 words
和 是 addressed 用 a0-a1 地址 输入. 读
行动 的 这 电子的 signature, 这 状态
寄存器, 这 cfi, 这 块 保护 状态, 这
配置 寄存器 状态 和 这 安全
代号 是 执行 作 单独的 asyncronous 读
循环 (随机的 读). 两个都 碎片 使能 e
和
输出 使能 g
必须 是 在 v
IL
在 顺序 至 读 这
输出 的 这 记忆.
写.
写 行动 是 使用 至 给 instruc-
tion commands 至 这 记忆 或者 至 获得 输入
数据 至 是 编写程序. 一个 写 运作 是 initi-
ated 当 碎片 使能 e
和 写 使能 w是
在 v
IL
和 输出 使能 g在 v
IH
. 地址 是
latched 在 这 下落 边缘 的 w
或者 ewhichever oc-
curs last. commands 和 输入 数据 是 latched
在 这 rising 边缘 的 w
或者 ewhichever occurs 第一.
噪音 脉冲 的 较少 比 5ns 典型 在 e
, w和
G
信号 做 不 开始 一个 写 循环.
表格 7. bank 大小 和 sectorization
bank 大小 参数 blocks 主要的 blocks
bank 一个 4 mbit 8 blocks 的 4 kword 7 blocks 的 32 kword
bank b 12 mbit - 24 blocks 的 32 kword
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