电的 特性
(@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指出. 各自 晶体管 是 individually 测试. 为 相一致
参数 (v
OS
, i
OS
,
∆
h
FE
) 各自 双 晶体管 结合体 是 核实 至 满足 陈述 限制. 所有 tests 制造 在 endpoints 除非 否则 指出.)
MAT04E MAT04F
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
电流 增益 h
FE
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
0 v
≤
V
CB
≤
30 v
1
400 800 300 600
电流 增益 相一致
∆
h
FE
I
C
= 100
µ
一个
0 v
≤
V
CB
≤
30 v
2
0.5 2 1 4 %
补偿 电压 V
OS
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
0 v
≤
V
CB
≤
30 v
3
50 200 100 400
µ
V
补偿 电压 改变 vs.
∆
V
OS
/
∆
I
C
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
集电级 电流 V
CB
= 0 v
3
525 1050
µ
V
补偿 电压 改变 vs. v
CB
∆
V
OS
/
∆
V
CB
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
0 v
≤
V
CB
≤
30 v
3
50 100 100 200
µ
V
大(量) 发射级 阻抗 r
是
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
V
CB
= 0 v
4
0.4 0.6 0.4 0.6
Ω
输入 偏差 电流 I
B
I
C
= 100
µ
一个
0 v
≤
V
CB
≤
30 v 125 250 165 330 nA
输入 补偿 电流 I
OS
I
C
= 100
µ
一个; v
CB
= 0 v 0.6 5 2 13 nA
损坏 电压 BV
CEO
I
C
= 10
µ
A40 40 V
集电级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
B
= 100
µ
一个; i
C
= 1 毫安 0.03 0.06 0.03 0.06 V
集电级-根基 泄漏 电流 I
CBO
V
CB
= 40 v 5 5 pA
噪音 电压 密度 e
n
V
CB
= 0 v; f
O
= 10 hz 2 3 2 4 nv/
√
Hz
I
C
= 1 毫安; f
O
= 100 hz 1.8 2.5 1.8 3 nv/
√
Hz
f
O
= 1 khz
5
1.8 2.5 1.8 3 nv/
√
Hz
增益 带宽 产品 f
T
I
C
= 1 毫安; v
CE
= 10 v 300 300 MHz
输出 电容 C
OBO
V
CB
= 15 v; i
E
= 0
f = 1 mhz 10 10 pF
输入 电容 C
EBO
V
是
= 0 v; i
C
= 0
f = 1 mhz 40 40 pF
注释
1
电流 增益 量过的 在 i
C
= 10
µ
一个, 100
µ
一个 和 1 毫安.
2
电流 增益 相一致 是 定义 作:
∆
∆
h
Ih
I
FE
BFE
最小值
C
=
100( )( )
3
量过的 在 i
C
= 10
µ
一个 和 有保证的 用 设计 在 这 指定 范围 的 i
C
.
4
有保证的 用 设计.
5
样本 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
–2–
rev. d
MAT04–SPECIFICATIONS
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