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资料编号:470691
 
资料名称:MAT02FH
 
文件大小: 264.29K
   
说明
 
介绍:
Low Noise, Matched Dual Monolithic Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. c
–2–
电的 特性
mat02a/e MAT02F
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
电流 增益 h
FE
I
C
= 1 毫安
1
500 605 400 605
I
C
= 100
µ
一个 500 590 400 590
I
C
= 10
µ
一个 400 550 300 550
I
C
= 1
µ
一个 300 485 200 485
电流 增益 相一致
h
FE
10
µ
一个
I
C
1 毫安
2
0.5 2 0.5 4 %
补偿 电压 V
OS
V
CB
= 0, 1
µ
一个
I
C
1 毫安
3
10 50 80 150
µ
V
补偿 电压
V
OS
/
V
CB
0
V
CB
V
最大值
,
4
10 25 10 50
µ
V
改变 vs. v
CB
1
µ
一个
I
C
1 毫安
3
10 25 10 50
µ
V
补偿 电压 改变
V
OS
/
I
C
V
CB
= 0 v 5 25 5 50
µ
V
vs. 集电级 电流 1
µ
一个
I
C
1 毫安
3
525 5 50
µ
V
补偿 电流
改变 vs. v
CB
I
OS
/
V
CB
0
V
CB
V
最大值
30 70 30 70 pa/v
大(量) 阻抗 r
10
µ
一个
I
C
10 毫安
5
0.3 0.5 0.3 0.5
集电级-根基
泄漏 电流 I
CBO
V
CB
= v
最大值
25 200 25 400 pA
集电级-集电级
泄漏 电流 I
CC
V
CC
= v
最大值
5, 6
35 200 35 400 pA
集电级-发射级 V
CE
= v
最大值
5, 6
泄漏 电流 I
CES
V
= 0 35 200 35 400 pA
噪音 电压 密度 e
n
I
C
= 1 毫安, v
CB
= 0
7
f
O
= 10 hz 1.6 2 1.6 3 nv/
Hz
f
O
= 100 hz 0.9 1 0.9 2 nv/
Hz
f
O
= 1 khz 0.85 1 0.85 2 nv/
Hz
f
O
= 10 khz 0.85 1 0.85 2 nv/
Hz
集电级 饱和
电压 V
ce(sat)
I
C
= 1 毫安, i
B
= 100
µ
一个 0.05 0.1 0.05 0.2 V
输入 偏差 电流 I
B
I
C
= 10
µ
A2534nA
输入 补偿 电流 I
OS
I
C
= 10
µ
一个 0.6 1.3 nA
损坏 电压 BV
CEO
40 40 V
增益-带宽 产品 f
T
I
C
= 10 毫安, v
CE
= 10 v 200 200 MHz
输出 电容 C
OB
V
CB
= 15 v, i
E
= 0 23 23 pF
集电级-集电级
电容 C
CC
V
CC
= 0 35 35 pF
注释
1
电流 增益 是 有保证的 和 集电级-根基 电压 (v
CB
) swept 从 0 至 v
最大值
在 这 表明 集电级 电流.
2
电流 增益 相一致 (
h
FE
) 是 定义 作:
h
fe =
3
量过的 在 i
C
= 10
µ
一个 和 有保证的 用 设计 在 这 指定 范围 的 i
C
.
4
这个 是 这 最大 改变 在 v
OS
作 v
CB
是 swept 从 0 v 至 40 v.
5
有保证的 用 设计.
6
I
CC
和 i
CES
是 核实 用 度量 的 i
CBO
.
7
样本 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
100 (
I
B
) (h
FE
最小值)
I
C
MAT02–SPECIFICATIONS
(@ v
CB
= 15 v, i
C
= 10
一个, t
一个
= 25
c, 除非 否则 指出.)
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