MAT02
–4–
rev. c
MAT02N
参数 标识 情况 限制 单位
平均 补偿 TCV
OS
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安 0.08
µ
v/
°
C
电压 逐渐变化 0
≤
V
CB
≤
V
最大值
平均 补偿 TCI
OS
I
C
= 10
µ
一个 40 pa/
°
C
电流 逐渐变化
增益-带宽 f
T
V
CE
= 10 v, i
C
= 10 毫安 200 MHz
产品
补偿 电流 改变 vs. v
CB
∆
I
OS
/
∆
V
CB
0
≤
V
CB
≤
40 v 70 pa/v
MAT02N
参数 标识 情况 限制 单位
损坏 电压 BV
CEO
40 v 最小值
补偿 电压 V
OS
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
1
150
µ
v 最大值
输入 补偿 电流 I
OS
1.2 na 最大值
输入 偏差 电流 I
B
V
CB
= 0 v 34 na 最大值
电流 增益 h
FE
I
C
= 1 毫安, v
CB
= 0 v 400 最小值
I
C
= 10
µ
一个, v
CB
= 0 v 300
电流 增益 相一致
∆
h
FE
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安, v
CB
= 0 v 4 % 最大值
补偿 电压
∆
V
OS
/
∆
V
CB
0 v
≤
V
CB
≤
40 v 50
µ
v 最大值
改变 vs. v
CB
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
1
补偿 电压 改变
∆
V
OS
/
∆
I
C
V
CB
= 0 50
µ
v 最大值
vs. 集电级 电流 10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
1
大(量) 阻抗 r
是
100
µ
一个
≤
I
C
≤
10 毫安 0.5
Ω
最大值
集电级 饱和 电压 V
ce (sat)
I
C
= 1 毫安 0.2 v 最大值
I
B
= 100
µ
一个
注释
1
量过的 在 l
C
= 10
µ
一个 和 有保证的 用 设计 在 这 指定 范围 的 i
C
.
电的 tests 是 执行 在 薄脆饼 探查 至 这 限制 显示. 预定的 至 变化 在 组装 方法 和 正常的 yield 丧失, yield 之后 包装 是 不 有保证的
为 标准 产品 dice. 咨询 工厂 至 negotiate 规格 为基础 在 dice lot 资格 通过 样本 lot 组装 和 测试.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 mat02 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将
出现 在 设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
薄脆饼 测试 限制
(@ 25
c 为 v
CB
= 15 v 和 i
C
= 10
一个, 除非 否则 指出.)
(v
CB
= 15 v, i
C
= 10
一个, t
一个
= +25
c, 除非 否则 指出.)
典型 电的 特性
消逝 大小 0.061
×
0.057 inch, 3,477 sq. 毫英寸
(1.549
×
1.448 mm, 224 sq. mm)
1. 集电级 (1)
2. 根基 (1)
3. 发射级 (1)
4. 集电级 (2)
5. 根基 (2)
6. 发射级 (2)
7. 基质
dice 特性
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