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资料编号:473937
 
资料名称:MBR20150
 
文件大小: 382.43K
   
说明
 
介绍:
20 Amp High Voltage 150Volts Barrier Rectifier Power Schottky
 
 


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www.mccsemi.com
MBR20150CT
MCC
0123456789101112
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
如果(av) (一个)
pf(av)(w)
T
δ
=tp/t
tp
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
.1:
Averageforwardpowerdissipation相比
平均 向前 电流 (每 二极管).
0 25 50 75 100 125 150 175
0
2
4
6
8
10
12
tamb(°c)
如果(av)(一个)
rth(j-一个)=rth(j-c)
rth(j-一个)=15°c/w
T
δ
=tp/t
tp
图. 2:
平均 向前 电流 相比 包围的
温度 (
δ
= 0.5, 二极管).
1e-3 1e-2 1e-1 1E+0
0
25
50
75
100
125
150
t(s)
im(一个)
Tc=50°C
Tc=75°C
Tc=125°C
I
M
t
δ
=0.5
图. 3:
repetitive surge 顶峰 向前 电流
相比 超载 持续时间 (最大 值,
二极管).
1e-3 1e-2 1e-1 1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
zth(j-c)/rth(j-c)
T
δ
=tp/t
tp
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单独的 脉冲波
图. 4:
相关的 变化 热的 阻抗
接合面 情况 相比 脉冲波 持续时间 (每 二极管).
0 25 50 75 100 125 150
1e-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
vr(v)
ir(µa)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Tj=100°C
Tj=175°C
图. 5:
反转 泄漏 电流 相比 反转
电压 应用 (典型 值, 二极管).
1 2 5 10 20 50 100 200
10
100
1000
vr(v)
c(pf)
F=1MHz
Tj=25°C
图. 6:
接合面 电容 相比 反转 电压
应用 (典型 值, 二极管).
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