flash 记忆 (flash)
mc68hc908qb8 数据 薄板, rev. 1
freescale 半导体 31
2.6 flash 记忆 (flash)
这 flash 记忆 是 将 primarily 为 程序 存储. 在-电路 程序编制 准许 这
运行 程序 至 是 承载 在 这 flash 记忆之后 最终 组装 的 这 应用 产品.
它 是 可能 至 程序 这 全部 排列 通过 这 单独的-线 监控 模式 接口. 因为 非
特定的 电压 是 需要 为 flash 擦掉 和程序编制 行动, 在-应用 程序编制
是 也 可能 通过 其它 软件-控制 交流 paths.
这个 subsection describes 这 运作 的 the embedded flash 记忆. 这 flash 记忆 能 是
读, 编写程序, 和 erased 从 这 内部的 v
DD
供应. 这 程序 和 擦掉 行动 是
使能 通过 这 使用 的 一个 内部的 承担 打气.
这 最小 大小 的 flash 记忆 那 能 是 erased 是 64 字节; 和 这 最大 大小 的 flash
记忆 那 能 是 编写程序 在 一个 程序 循环是 32 字节 (一个 行). 程序 和 擦掉 行动
是 facilitated 通过 控制 位 在 这 flash 内容rol 寄存器 (flcr). 详细信息 为 这些 行动
呈现 后来的 在 这个 部分.
便条
一个 erased 位 读 作 一个 1 和 一个 编写程序 位 读 作 一个 0. 一个 安全
特性 阻止 察看 的 这 flash 内容.
(1)
2.6.1 flash 控制 寄存器
这 flash 控制 寄存器 (flcr) 控制 flash 程序 和 擦掉 行动.
hven — 高 电压 使能 位
这个 读/写 位 使能 高 电压 从 这 承担 打气 至 这 记忆 为 也 程序 或者
擦掉 运作. 它 能 仅有的 是 设置 如果 也 pgm=1 或者 擦掉=1 和这 恰当的 sequence 为
程序 或者 擦掉 是 followed.
1 = 高 电压 使能 至 排列 和 承担 打气 在
0 = 高 电压 无能 至 排列 和 承担 打气 止
mass — mass 擦掉 控制 位
这个 读/写 位 configures 这 记忆 为 mass 擦掉 运作.
1 = mass 擦掉 运作 选择
0 = mass 擦掉 运作 unselected
1. 非 安全 特性 是 absolutely secure. 不管怎样,freescale’s strategy 是 至 制造 读 或者 copying 这 flash difficult
为 unauthorized 用户.
位 7654321bit 0
读:0000
HVEN MASS 擦掉 PGM
写:
重置:00000000
= unimplemented
图示 2-3. flash 控制 寄存器 (flcr)
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