flash 记忆 (flash)
mc68hc908qb8 数据 薄板, rev. 1
freescale 半导体 35
图示 2-4. flash 程序编制 flowchart
设置 hven 位
写 任何 数据 至 任何 flash 地址
在里面 这 行 地址 范围 desired
wait 为 一个 时间, t
NVS
设置 pgm 位
wait 为 一个 时间, t
PGS
写 数据 至 这 flash 地址
至 是 编写程序
wait 为 一个 时间, t
PROG
clear pgm 位
wait 为 一个 时间, t
NVH
clear hven 位
wait 为 一个 时间, t
RCV
完成
程序编制
这个 行?
Y
N
终止 的 程序编制
这 时间 在 各自 flash 地址 改变 (步伐 7 至 步伐 7 循环),
必须 不 超过 这 最大 程序编制
时间, t
PROG
最大值
或者 这 时间 在 这 last flash 地址 编写程序
至 clearing pgm 位 (步伐 7 至 步伐 10)
注释:
1
3
4
5
6
7
8
10
11
12
13
algorithm 为 程序编制
一个 行 (32 字节) 的 flash 记忆
这个 行 程序 algorithm 假设 这 行/s
至 是 编写程序 是 initially erased.
9
读 这 flash 块 保护 寄存器
2
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