记忆
mc68hc908qb8 数据 薄板, rev. 1
36 freescale 半导体
2.6.6 flash block 保护 寄存器
这 flash 块 保护 寄存器 是 执行 作一个 字节 在里面 这 flash 记忆, 和 因此 能
仅有的 是 写 在 一个 程序编制 sequence 的 这 flash 记忆. 这 值 在 这个 寄存器
确定 这 开始 地址 的 这 保护 范围 在里面 这 flash 记忆.
bpr[7:0] — flash 保护 寄存器 位 [7:0]
这些 第八 位 在 flbpr 代表 位 [13:6]的 一个 16-位 记忆 地址.位 [15:14] 是 1s 和
位 [5:0] 是 0s.
这 resultant 16-位 地址 是 使用 为 specifying 这 开始 地址 的 这 flash 记忆 为 块
保护. 这 flash 是 保护 从 这个 开始 地址 至 这 终止 的 flash 记忆, 在 $ffff.
和 这个 mechanism, 这保护 开始 地址 能 是 xx00, xx40, xx80, 或者 xxc0 在里面 这 flash
记忆. 看图示 2-6和表格 2-2.
图示 2-6. flash 块 保护 开始 地址
位 7654321bit 0
读:
BPR7 BPR6 BPR5 BPR4 BPR3 BPR2 BPR1 BPR0
写:
重置: unaffected 用 重置. 最初的 值 从 工厂 是 1.
写 至 这个 寄存器 是 用 一个 程序编制 sequence 至 这 flash 记忆.
图示 2-5. flash 块 保护 寄存器 (flbpr)
表格 2-2. examples 的 保护 开始 地址
bpr[7:0] 开始 的 地址 的 保护 范围
$00–$77 这 全部 flash 记忆 是 保护.
$78 (
0111 1000
)$de00 (11
01 1110 00
00 0000)
$79 (
0111 1001
)$de40 (11
01 1110 01
00 0000)
$7a (
0111 1010
)$de80 (11
01 1110 10
00 0000)
$7b (
0111 1011
)$dfc0 (11
01 1110 11
00 0000)
和 所以 在...
$de (
1101 1110
)$f780 (11
11 0111 10
00 0000)
$df (
1101 1111
)$f7c0 (11
11 0111 11
00 0000)
$fe (
1111 1110
)
$ff80 (11
11 1111 10
00 0000)
flbpr, osctrim, 和 vectors 是 保护
$FF 这 全部 flash 记忆 是 不 保护.
0
0
00011
flbpr 值
开始 地址 的
16-位 记忆 地址
flash 块 保护
0
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