MIC2182 Micrel
MIC2182 16 六月 2000
产品 信息
这 下列的 产品 信息 包含 组件
选择 和 设计 指导原则. 看 图示 14 和 tables 1
通过 5 为 predesigned 电路.
inductor 选择
值 为 电感, 顶峰, 和 rms 电流 是 必需的
至 选择 这 输出 inductor. 这 输入 和 输出 电压
和 这 电感 值 决定 这 顶峰 至 顶峰 inductor
波纹 电流. 一般地, 高等级的 电感 值 是 使用
和 高等级的 输入 电压. 大 顶峰 至 顶峰 波纹 电流
将 增加 这 电源 消耗 在 这 inductor 和
mosfets. 大 输出 波纹 电流 将 也 需要
更多 输出 电容 至 平整的 输出 这 大 波纹
电流. 小 顶峰 至 顶峰 波纹 电流 需要 一个 大
电感 值 和 因此 一个 大 和 更多 expensive
inductor. 一个 好的 compromise 在 大小, 丧失 和 费用 是
至 设置 这 inductor 波纹 电流 至 是 equal 至 20% 的 这
最大 输出 电流.
这 电感 值 是 计算 用 这 等式 在下.
L
v(v v)
V f 0.2 I
输出
在(最大值)
输出
在(最大值)
S 输出(最大值)
=
×−
×× ×
在哪里:
f
S
= 切换 频率
0.2 = 比率 的 交流 波纹 电流 至 直流 输出 电流
V
在(最大值)
= 最大 输入 电压
这 顶峰-至-顶峰 inductor 电流 (交流 波纹 电流) 是:
I
v(v v)
VfL
PP
输出
在(最大值)
输出
在(最大值)
S
=
×−
××
这 顶峰 inductor 电流 是 equal 至 这 平均 输出
电流 加 一个 half 的 这 顶峰 至 顶峰 inductor 波纹
电流.
I I 0.5 I
PK
输出(最大值)
PP
=+×
这 rms inductor 电流 是 使用 至 计算 这 i
2
·
r losses
在 这 inductor.
I (rms) I 1
1
3
I
I
inductor
输出(最大值)
PP
输出(最大值)
2
=×+
maximizing 效率 需要 这 恰当的 选择 的 核心
材料 和 降低 这 winding 阻抗. 这 高
频率 运作 的 这 mic2182 需要 这 使用 的 ferrite
材料 为 所有 但是 这 大多数 费用 敏感的 产品.
更小的 费用 iron powder cores 将 是 使用 但是 这 增加
在 核心 丧失 将 减少 这 效率 的 这 电源 供应. 这个
是 特别 noticeable 在 低 输出 电源. 这 winding
阻抗 减少 效率 在 这 高等级的 输出 电流
水平. 这 winding 阻抗 必须 是 使减少到最低限度 虽然
这个 通常地 comes 在 这 费用 的 一个 大 inductor.
这 电源 dissipated 在 这 inductor 是 equal 至 这 总 的 这
核心 和 铜 losses. 在 高等级的 输出 负载, 这 核心
losses 是 通常地 微不足道的 和 能 是 ignored. 在 更小的
输出 电流, 这 核心 losses 能 是 一个 重大的 contribu-
tor. 核心 丧失 信息 是 通常地 有 从 这 mag-
netics vendor.
铜 丧失 在 这 inductor 是 计算 用 这 等式
在下:
P I (rms) R
inductorCu
inductor
2
winding
=×
这 阻抗 的 这 铜 线, r
winding
, 增加 和
温度. 这 值 的 这 winding 阻抗 使用 应当
是 在 这 运行 温度.
R R 1 0.0042 (t T )
winding(hot)
winding(20 c)
hot
20 C
=×+×−
()
°°
在哪里:
T
HOT
= 温度 的 这 线
下面 运行 加载
T
20
°
C
= 包围的 温度
R
winding(20
°
c)
是 房间 温度 winding 阻抗
(通常地 指定 用 这 生产者)
电流-sense 电阻 选择
低 电感 电源 电阻器, 此类 作 metal 影片 电阻器
应当 是 使用. 大多数 电阻 manufacturers 制造 低
电感 电阻器 和 低 温度 coefficients, de-
signed specifically 为 电流-sense 产品. 两个都 resis-
tance 和 电源 消耗 必须 是 计算 在之前 这
电阻 是 选择. 这 值 的 r
SENSE
是 选择 为基础 在
这 最大 输出 电流 和 这 最大 门槛
水平的. 这 电源 dissipated 是 为基础 在 这 最大 顶峰
输出 电流 在 这 最小 overcurrent 门槛 限制.
R
75mV
I
SENSE
输出(最大值)
=
这 最大 overcurrent 门槛 是:
I
135mV
R
overcurrent(最大值)
CS
=
这 最大 电源 dissipated 在 这 sense 电阻 是:
PI R
d(r ) overcurrent(最大值)
2
CS
SENSE
=×
场效应晶体管 选择
外部 n-频道 逻辑-水平的 电源 mosfets 必须 是
使用 为 这 高- 和 低-一侧 switches. 这 场效应晶体管 门-
至-源 驱动 电压 的 这 mic2182 是 管制 用 一个
内部的 5v v
DD
调整器. 逻辑-水平的 mosfets, 谁的
运作 是 指定 在 v
GS
= 4.5v 必须 是 使用.
它 是 重要的 至 便条 这 在-阻抗 的 一个 场效应晶体管
增加 和 增加 温度. 一个 75
°
c 上升 在 junc-
tion 温度 将 增加 这 频道 阻抗 的 这
场效应晶体管 用 50% 至 75% 的 这 阻抗 指定 在 25
°
c.
这个 改变 在 阻抗 必须 是 accounted 为 当
calculating 场效应晶体管 电源 消耗.
总的 门 承担 是 这 承担 必需的 至 转变 这 场效应晶体管
在 和 止 下面 指定 运行 情况 (v
DS
和
V
GS
). 这 门 承担 是 有提供的 用 这 mic2182 门 驱动
电路. 在 300khz 切换 频率 和 在之上, 这 门
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