MIC2182 Micrel
MIC2182 20 六月 2000
管脚 和 routed 和 一个 宽 查出. 这 电容 应当 是 一个
好的 质量 tantalum. 一个 额外的 1
µ
f 陶瓷的 电容
将 是 需要 当 驱动 大 mosfets 和 高
门 电容. incorrect placement 的 这 v
DD
解耦
电容 将 导致 jitter 或者 振动 在 这 切换
波形 和 大 变化 在 这 overcurrent 限制.
一个 0.1
µ
f 陶瓷的 电容 是 必需的 至 分离 这 vin.
这 电容 应当 是 放置 near 这 ic 和 连接
直接地 至 在 管脚 10 (vcc) 和 管脚 12 (pgnd).
pcb 布局 和 checklist
pcb 布局 是 核心的 至 达到 可依靠的, 稳固的 和 效率高的
效能. 一个 地面 平面 是 必需的 至 控制 emi 和
降低 这 电感 在 电源, 信号 和 返回 paths.
这 下列的 指导原则 应当 是 followed 至 insure 恰当的
运作 的 这 电路.
•
信号 和 电源 grounds 应当 是 保持
独立的 和 连接 在 仅有的 一个 location.
大 电流 或者 高 di/dt 信号 那 出现
当 这 mosfets 转变 在 和 止 必须 是
保持 away 从 这 小 信号 连接.
•
这 连接 在 这 电流-sense
电阻 和 这 mic2182 电流-sense 输入
(管脚 8 和 9) 应当 有 独立的 查出,
routed 从 这 terminals 直接地 至 这 ic 管脚.
这 查出 应当 是 routed 作 closely 作
可能 至 各自 其它 和 它们的 长度 应当 是
使减少到最低限度. 避免 运动 这 查出 下面 这
inductor 和 其它 切换 组件. 一个 1nf
至 0.1
µ
f 电容 放置 在 管脚 8 和 9
将 帮助 attenuate 切换 噪音 在 这 电流
sense 查出. 这个 电容 应当 是 放置
关闭 至 管脚 8 和 9.
•
当 这 高-一侧 场效应晶体管 是 切换 在, 这
核心的 流动 的 电流 是 从 这 输入 电容
通过 这 场效应晶体管, inductor, sense 电阻,
输出 电容, 和 后面的 至 这 输入 电容.
这些 paths 必须 是 制造 和 短的, 宽
片 的 查出. 它 是 好的 实践 至 locate 这
地面 terminals 的 这 输入 和 输出 capaci-
tors 关闭 至 各自.
•
当 这 低-一侧 场效应晶体管 是 切换 在,
电流 flows 通过 这 inductor, sense
电阻, 输出 电容, 和 场效应晶体管. 这
源 的 这 低-一侧 场效应晶体管 应当 是
located 关闭 至 这 输出 电容.
•
这 freewheeling 二极管, d1 在 图示 2, con-
ducts 电流 在 这 dead 时间, 当 两个都
mosfets 是 止. 这 anode 的 这 二极管
应当 是 located 关闭 至 这 输出 电容
地面 终端 和 这 cathode 应当 是
located 关闭 至 这 输入 一侧 的 这 inductor.
•
这 4.7
µ
f 电容, 这个 connects 至 这 vdd
终端 (管脚 11) 必须 是 located 正确的 在 这 ic.
这 vdd 终端 是 非常 噪音 敏感的 和
placement 的 这个 电容 是 非常 核心的.
连接 必须 是 制造 和 宽 查出. 这
电容 将 是 located 在 这 bottom layer 的
这 板 和 连接 至 这 ic 和 多样的
vias.
•
这 v
在
绕过 电容 应当 是 located
关闭 至 这 ic 和 连接 在 管脚 10
和 12. 连接 应当 是 制造 和 一个
地面 和 电源 平面 或者 和 短的, 宽
查出.
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