相似物 整体的 电路 设备 数据
freescale 半导体 11
908E622
静态的 电的 特性
高-一侧 输出 hs1
转变 在 阻抗
T
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
R
ds(在)-hs1
–185225
m
Ω
overcurrent 关闭 I
HSOC1
6.0 – 9.0 一个
overcurrent 关闭 blanking 时间
(15)
t
OCB
–4-8–µs
电流 至 电压 比率
(16)
V
ADOUT
[v] / i
HS
[a], (量过的 和 修整 i
HS
= 2 一个)
CR
RATIOHS1
0.84 1.2 1.56 v/一个
高-一侧 切换 频率
(15)
f
PWMHS
––25kHz
高-一侧 自由-转动 二极管 向前 电压
T
J
= 25
°
c, i
加载
= 1 一个
V
HSF
–0.9–v
泄漏 电流
I
LeakHS
–<0.210µa
高-一侧 输出 hs2 和 hs3
(17)
转变 在 阻抗
T
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
R
ds(在)-hs23
–440500
m
Ω
overcurrent 关闭 I
HSOC23
3.6 – 5.6 一个
overcurrent 关闭 blanking 时间
(15)
t
OCB
–4-8–µs
电流 至 电压 比率
(16)
V
ADOUT
[v] / i
HS
[a], (量过的 和 修整 i
HS
= 2 一个)
CR
RATIOHS23
1.16 1.66 2.16 v/一个
高-一侧 切换 频率
(15)
f
PWMHS
––25kHz
高-一侧 自由-转动 二极管 向前 电压
T
J
= 25
°
c, i
加载
= 1 一个
V
HSF
–0.9–v
泄漏 电流
I
LeakHS
–<0.210µa
注释
15. 这个 参数 是 有保证的 用 处理 monitoring 但是 是 不 生产 测试.
16. 这个 参数 是 有保证的 仅有的 如果 准确无误的 修整 是 应用.
17. 这 高-一侧 hs3 能 是 仅有的使用 为 resistive 负载.
表格 3. 静态的 电的 特性 (持续)
所有 特性 是 为 这 相似物 碎片 仅有的. 谈及 至 the 68hc908ey16 数据手册 为 characteristics 的 这 微控制器
碎片. 特性 指出 下面 情况 9.0 V
≤
V
SUP
≤
16 v, -40
°
C
≤
T
J
≤
125
°
c 除非 否则 指出. 典型 值
指出 反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
= 25
°
c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
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