MMFT3055VL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
信息 为 使用 这 sot–223 表面 挂载 包装
最小 推荐 footprint 为 表面 挂载 产品
表面挂载 板 布局 是 一个 核心的 portion 的 这总的
设计.这 footprint 为 这 半导体 包装 必须 是
这准确无误的 大小 至 insure 恰当的 焊盘 连接 接口
在这 板和 这 包装. 和 这 准确无误的 垫子
geometry,这 包装 将 自 排整齐 当 subjected 至一个
焊盘 软熔焊接 处理.
SOT–223
0.079
2.0
0.15
3.8
0.248
6.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.091
2.3
mm
英寸
sot–223 电源 消耗
这电源 消耗 的 这 sot–223是 一个 函数 的 这
流垫子 大小. 这个 能 相异 从 这 最小 垫子 大小 为
焊接至 一个 垫子 大小 给 为 最大 电源 消耗.
电源消耗 为 一个 表面 挂载 设备 是 决定 用
T
j(最大值)
,这 最大 评估 接合面 温度的 这 消逝,
R
θ
JA
,这 热的 阻抗 从 这设备 接合面 至
包围的,和 这 运行 温度, t
一个
. 使用 这 值
提供 在 这 数据 薄板 为 这 sot–223 包装, p
D
能
是 计算 作 跟随:
P
D
=
T
j(最大值)
– t
一个
R
θ
JA
这值 为 这 等式是 建立 在 这 最大
比率表格 在 这 数据 薄板. substituting 这些 值 在
这 等式 为 一个 包围的 温度 t
一个
的 25
°
c, 一个 能
计算这 电源 消耗 的 这 设备 这个 在 这个 情况
是 943 毫瓦.
P
D
=
175
°
c – 25
°
C
159
°
c/w
= 943 毫瓦
这 159
°
c/w 为 这 sot–223 包装 假设 这 使用
的这 推荐 footprint 在 一个 glass 环氧的 打印 电路
板至 达到 一个 电源 消耗 的 943 毫瓦. 那里
是其它 alternatives至 实现 高等级的 电源 消耗
从这 sot–223 包装. 一个 是 至 增加 这 范围 的 这
流垫子. 用 增加 这 范围 的 这 流 垫子, 这电源
消耗能是 增加. 虽然 一个 能 almost 翻倍
这电源 消耗 和 这个 方法, 一个 将是 给 向上
范围在 这 打印 电路 板 这个 能defeat 这 目的
的使用 表面 挂载 技术. 一个 图表 的 r
θ
JA
相比
流 垫子 范围 是 显示 在 图示 17.
0.8 watts
1.25 watts*
1.5 watts
R , 热的 阻抗, 接合面
至 包围的 ( c/w)
θ
JA
°
一个, 范围 (正方形的 英寸)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
160
140
120
100
80
图示 15. 热的 阻抗 相比 流 垫子
范围 为 这 sot–223 包装 (典型)
板 材料 = 0.0625
″
g–10/fr–4, 2 oz 铜
T
一个
= 25
°
C
*mounted 在 这 dpak footprint
另一alternative 将 是 至 使用 一个 陶瓷的 基质 或者
一个铝 核心 板 此类 作 热的 clad
. 使用 一个
板材料 此类 作 热的 clad, 一个 铝 核心
板,这 电源 消耗 能 是 doubled 使用 这 一样
footprint.
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