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msd1819a-rt1 msd1819a-st1
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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
图示 1. 减额 曲线
250
200
150
100
50
0
– 50 0 50 100 150
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
P
D
, 电源 消耗 (毫瓦)
图示 2. i
C
– v
CE
V
CE
, 集电级 电压 (v)
图示 3. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 4. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 5. 在 电压
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
60
0
50
40
30
20
10
0
2 4 6 8
T
一个
= 25
°
C
160
µ
一个
140
µ
一个
120
µ
一个
100
µ
一个
80
µ
一个
60
µ
一个
40
µ
一个
I
B
= 20
µ
一个
直流 电流 增益
1000
0.1
100
10
1 10 100
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= – 25
°
C
T
一个
= 75
°
C
V
CE
= 10 v
V
CE
, 集电级-发射级 电压 (v)
2
0.01
1.5
1
0.5
0
0.1 1 10 100
T
一个
= 25
°
C
集电级 电压 (mv)
900
0.2
800
700
600
500
400
300
200
100
0.5 1 5 10 20 40 60 80 100 150 200
T
一个
= 25
°
C
V
CE
= 5 v
0
R
θ
JA
= 833
°
c/w

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msd1819a-rt1 msd1819a-st1 2 motorola small–signal 晶体管, fets 和二极管设备数据图示 1. 减额曲线 250 200 150 100 50 0 – 50 0 50 100 150 T 一个 , 包围的温度 ( ° c) P D , 电源消耗 (毫瓦) 图示 2. i C – v CE V CE , 集电级电压 (v) 图示 3. 直流电流增益 I C , 集电级电流 (毫安) 图示 4. 集电级饱和区域 I B , 根基电流 (毫安) 图示 5. 在电压 I C , 集电级电流 (毫安) I C , 集电级电流 (毫安) 60 0 50 40 30 20 10 0 2 4 6 8 T 一个 = 25 ° C 160 µ 一个 140 µ 一个 120 µ 一个 100 µ 一个 80 µ 一个 60 µ 一个 40 µ 一个 I B = 20 µ 一个直流电流增益 1000 0.1 100 10 1 10 100 T 一个 = 25 ° C T 一个 = – 25 ° C T 一个 = 75 ° C V CE = 10 v V CE , 集电级-发射级电压 (v) 2 0.01 1.5 1 0.5 0 0.1 1 10 100 T 一个 = 25 ° C 集电级电压 (mv) 900 0.2 800 700 600 500 400 300 200 100 0.5 1 5 10 20 40 60 80 100 150 200 T 一个 = 25 ° C V CE = 5 v 0 R θ JA = 833 ° c/w

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