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资料编号:490079
 
资料名称:MSM518222-30GS-K
 
文件大小: 182.6K
   
说明
 
介绍:
262,214-Word x 8-Bit Field Memory
 
 


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¡ 半导体
MSM518222
注释: 1. 输入 信号 涉及 水平 为 这 参数 度量 是 v
IH
= 3.0 v 和 v
IL
= 0 v. 这 转变 时间 t
T
是 定义 至 是 一个 转变 时间 那 信号 transfers
在 v
IH
= 3.0 v 和 v
IL
= 0 v.
2. 交流 度量 假设 t
T
= 3 ns.
3. 读 地址 必须 有 更多 比 一个 600 地址 延迟 比 写 地址 在 每
循环 当 异步的 读/写 是 执行.
4. 读 必须 有 更多 比 一个 600 地址 延迟 比 写 在 顺序 至 读 这 数据
写 在 一个 电流 序列 的 写 循环 这个 有 被 started 在 last 写 重置
循环: 这个 是 called "新 数据 读".
当 读 有 较少 比 一个 70 地址 延迟 比 写, 这 读 数据 是 这 数据
写 在 一个 previous 序列 的 写 循环 这个 had 被 写 在之前 这 last
写 重置 循环: 这个 是 called "old 数据 读".
5. 当 这 读 地址 延迟 是 在 更多 比 71 和 较少 比 599, 读 数据
将 是 undetermined. 不管怎样, 正常的 写 是 达到 在 这个 地址 情况.
6. 输出 是 量过的 和 一个 加载 相等的 至 1 ttl 加载 和 30 pf.
输出 涉及 水平 是 v
OH
= 2.4 v 和 v
OL
= 0.8 v.
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