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资料编号:491024
 
资料名称:MT46V128M8
 
文件大小: 2354.95K
   
说明
 
介绍:
DOUBLE DATA RATE (DDR) SDRAM
 
 


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1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
1gbddrx4x8x16_2.fm - rev. 一个 3/03 en
15
©2003 micron 技术. 公司
Commands
表格 4 和 表格 5 提供 一个 快 涉及 的
有 commands. 这个 是 followed 用 一个 verbal
描述 的 各自 command. 二 额外的 真实
tables, 表格 7 在 页 41, 和 表格 8 在 页 43,
呈现 下列的 这 运作 部分, 提供 cur-
rent 状态/next 状态 信息.
便条:
1. cke 是 高 为 所有 commands 显示 除了 自 refresh.
2. ba0-ba1 选择 也 这 模式 寄存器 或者 这 扩展 模式 寄存器 (ba0 = 0, ba1 = 0 选择 这 模式 寄存器;
ba0 = 1, ba1 = 0 选择 扩展 模式 寄存器; 其它 结合体 的 ba0-ba1 是 保留). a0-a13 提供 这 op-code 至
是 写 至 这 选择 模式 寄存器.
3. ba0-ba1 提供 bank 地址 和 a0-a13 提供 行 地址.
4. ba0-ba1 提供 bank 地址; a0-一个
i
提供 column 地址, (在哪里
i
=9 为 x16,
i
=9, 11 为 x8, 和
i
=9,11, 12 为 x4) a10 高
使能 这 自动 precharge 特性 (非 persistent), 和 a10 低 使不能运转 这 自动 precharge 特性.
5. a10 低: ba0-ba1 决定 这个 bank 是 precharged.
a10 高: 所有 banks 是 precharged 和 ba0-ba1 是 “don’t 小心.”
6. 这个 command 是 自动 refresh 如果 cke 是 高, 自 refresh 如果 cke 是 低.
7. 内部的 refresh 计数器 控制 行 寻址; 为 在里面 这 自 refresh 模式 所有 输入 和 i/os 是 “don’t care” except
为 cke.
8. 应用 仅有的 至 读 bursts 和 自动 precharge 无能; 这个 command 是 未阐明的 (和 应当 不 是 使用) 为 读 bursts
和 自动 precharge 使能 和 为 写 bursts.
9. deselect 和 nop 是 functionally interchangeable.
便条:
1. 使用 至 掩饰 写 数据; 提供 coincident 和 这 相应的 数据.
表格 4: 真实 表格 – commands
便条 1 应用 至 所有 commands
名字 (函数) CS# RAS# CAS# WE# 地址 注释
deselect (nop)
HXXX X 9
非 运作 (nop)
LHHH X 9
起作用的 (选择 bank 和 活动 行)
L L H H bank/行 3
读 (选择 bank 和 column, 和 开始 读 burst)
L H L H bank/col 4
写 (选择 bank 和 column, 和 开始 写 burst)
L H L L bank/col 4
burst terminate
LHHL X 8
precharge (deactivate 行 在 bank 或者 banks)
L L H L 代号 5
自动 refresh 或者 自 refresh
(enter 自 refresh 模式)
LLLH X 6, 7
加载 模式 寄存器
llllop-code2
表格 5: 真实 表格 – dm 运作
便条 1 应用 至 所有 commands
名字 (函数) DM DQ
写 使能 L 有效的
写 inhibit H X
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