1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
1gbddrx4x8x16_2.fm - rev. 一个 3/03 en
22
©2003 micron 技术. 公司
图示 12: consecutive 读 bursts
便条:
1. 做
n
(或者
b
) = 数据-输出 从 column
n
(或者 column
b
).
2. burst 长度 = 4 或者 8 (如果 4, 这 bursts 是 concatenated; 如果 8, 这 第二 burst 中断 这 first).
3. 三 subsequent elements 的 数据-输出 呈现 在 这 编写程序 顺序 下列的 做
n.
4. 三 (或者 七) subsequent elements 的 数据-输出 呈现 在 这 编写程序 顺序 下列的 做
b.
5. 显示 和 名义上的
t
交流,
t
dqsck, 和
t
dqsq.
6. 例子 应用 仅有的 当 读 commands 是 issued 至 一样 设备.
CK
CK#
COMMAND
读 NOP 读 NOP NOP NOP
地址
bank,
Col
n
bank,
Col
b
COMMAND
读 NOP 读 NOP NOP NOP
地址
bank,
Col
n
bank,
Col
b
cl = 2
CK
CK#
COMMAND
地址
DQ
DQS
cl = 2.5
DQ
DQS
做
n
做
b
做
n
做
b
T0 T1 T2 T3T2n T3n T4 T5T4n T5n
T0 T1 T2 T3T2n T3n T4 T5T4n T5n
don’t 小心 transitioning 数据
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