1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
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26
©2003 micron 技术. 公司
图示 16: 读 至 写
便条:
1. 做
n
= 数据-输出 从 column
n
.
2. DI
b
= 数据-在 从 column
b
.
3. burst 长度 = 4 在 这 具体情况 显示 (应用 为 bursts 的 8 作 好; 如果 这 burst 长度 是 2, 这 bst command 显示 能 是nop).
4. 一个 subsequent 元素 的 数据-输出 呈现 在 这 编写程序 顺序 下列的 做
n.
5. 数据-在 elements 是 应用 下列的 di
b
在 这 编写程序 顺序
.
6. 显示 和 名义上的
t
交流,
t
dqsck, 和
t
dqsq.
7. bst = burst terminate command, 页 仍然是 打开.
CK
CK#
COMMAND
读 BST
7
NOP NOP NOP
地址
bank,
Col
n
写
bank,
Col
b
T0 T1 T2 T3T2n T4 T5T4n T5n
cl = 2
DQ
DQS
DM
t
(nom)
DQSS
DI
b
CK
CK#
COMMAND
读 BST
7
NOP 写 NOP
地址
Bank
一个
,
Col
n
NOP
T0 T1 T2 T3T2n T4 T5 T5n
cl = 2.5
DQ
DQS
做
n
DM
DI
b
don’t 小心 transitioning 数据
做
n
t
(nom)
DQSS