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ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
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30
©2003 micron 技术. 公司
图示 20: consecutive 写 至 写
便条:
1. DI
b
, 等 = 数据-在 为 column
b
, 等
2. 三 subsequent elements 的 数据-在 是 应用 在 这 编写程序 顺序 下列的 di
b
.
3. 三 subsequent elements 的 数据-在 是 应用 在 这 编写程序 顺序 下列的 di
n
.
4. 一个 uninterrupted burst 的 4 是 显示
.
5. 各自 写 command 将 是 至 任何 bank.
CK
CK#
COMMAND
写 NOP 写 NOP NOP
地址
bank,
Col
b
NOP
bank,
Col
n
T0 T1 T2 T3T2n T4 T5T4nT3nT1n
DQ
DQS
DM
DI
n
DI
b
don’t 小心 transitioning 数据
t
DQSS
t
dqss (nom)
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