1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
1gbddrx4x8x16_2.fm - rev. 一个 3/03 en
32
©2003 micron 技术. 公司
图示 22: 随机的 写 循环
便条:
1. DI
b
, 等 = 数据-在 为 column
b
, 等
2.
b'
, 等 = 这 next 数据-在 下列的 di
b
, 等., 符合 至 这 编写程序 burst 顺序.
3. 编写程序 burst 长度 = 2, 4, 或者 8 在 具体情况 显示.
4. 各自 写 command 将 是 至 任何 bank.
t
dqss (nom)
CK
CK#
COMMAND
写 写 写 写 NOP
地址
bank,
Col
b
bank,
Col
x
bank,
Col
n
bank,
Col
g
写
bank,
Col
一个
T0 T1 T2 T3T2n T4 T5T4nT1n T3n T5n
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
b'
DI
x
DI
x'
DI
n
DI
n'
DI
一个
DI
一个'
DI
g
DI
g'
don’t 小心 transitioning 数据