1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
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©2003 micron 技术. 公司
图示 24: 写 至 读 - interrupting
便条:
1. DI
b
= 数据-在 为 column
b, 做 n =
数据-输出 为 column
n
.
2. 一个 interrupted burst 的 4 是 显示; 二 数据 elements 是 写.
3. 一个 subsequent 元素 的 数据-在 是 应用 在 这 编写程序 顺序 下列的 di
b
.
4.
t
wtr 是 关联 从 这 第一 积极的 ck 边缘 之后 这 last 数据-在 一双.
5. a10 是 低 和 这 写 command (自动 precharge 是 无能).
6. dqs 是 必需的 在 t2 和 t2n (名义上的 情况) 至 寄存器 dm.
7. 如果 这 burst 的 8 是 使用, dm 和 dqs 将 是 必需的 在 t3 和 t3n 因为 这 读 command 将 不 掩饰 这些
二 数据 elements.
t
dqss (nom)
CK
CK#
COMMAND
写 NOP NOP NOP NOP NOP
地址
Bank
一个
,
Col
b
Bank
一个
,
Col
n
读
T0 T1 T2 T3T2n T4 T5 T5nT1n
T6 T6n
t
WTR
cl = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
做
n
t
dqss (最小值)
cl = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
t
dqss (最大值)
cl = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
做
n
做
n
don’t 小心 transitioning 数据
t
DQSS
t
DQSS
t
DQSS
T3n
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