1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
1gbddrx4x8x16_2.fm - rev. 一个 3/03 en
35
©2003 micron 技术. 公司
图示 25: 写 至 读 - odd 号码 的 数据, interrupting
便条:
1. DI
b
= 数据-在 为 column
b, 做 n =
数据-输出 为 column
n
.
2. 一个 interrupted burst 的 4 是 显示; 一个 数据 元素 是 写.
3.
t
wtr 是 关联 从 这 第一 积极的 ck 边缘 之后 the last desired 数据-在 一双 (不 这 last 二 数据 elements).
4. a10 是 低 和 这 写 command (自动 precharge 是 无能).
5. dqs 是 必需的 在 t1n, t2, 和 t2n (名义上的 情况) 至 寄存器 dm.
6. 如果 这 burst 的 8 是 使用, dm 和 dqs 将 是 必需的 在 t3 - t3n 因为 这 读 command 将 不 掩饰 这些 数据
elements.
t
dqss (nom)
CK
CK#
COMMAND
写 NOP NOP NOP NOP NOP
地址
Bank
一个
,
Col
b
Bank
一个
,
Col
n
读
T0 T1 T2 T3T2n T4 T5T1n
T6 T6nT5n
t
WTR
cl = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
做
n
t
dqss (最小值)
cl = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
做
n
t
dqss (最大值)
cl = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
做
n
don’t 小心 transitioning 数据
t
DQSS
t
DQSS
t
DQSS
T3n
: 点此下载
