1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
1gbddrx4x8x16_2.fm - rev. 一个 3/03 en
36
©2003 micron 技术. 公司
图示 26: 写 至 precharge - uninterrupting
便条:
1. di b = 数据-在 为 column b.
2. 三 subsequent elements 的 数据-在 是 应用 在 这 编写程序 顺序 下列的 di b.
3. 一个 uninterrupted burst 的 4 是 显示.
4.
t
wr 是 关联 从 这 第一 积极的 ck 边缘 之后 这 last 数据-在 一双.
5. 这 precharge 和 写 commands 是 至 这 一样 设备. 不管怎样, 这 precharge 和 写 commands 将 是 至 dif-
ferent 设备, 在 这个 情况
t
wr 是 不 必需的 和 这 precharge command 可以 是 应用 早期.
6. a10 是 低 和 这 写 command (自动 precharge 是 无能).
7. 前 = precharge command.
t
dqss (nom)
CK
CK#
COMMAND
写 NOP NOP NOP 前
7
NOP
地址
Bank
一个
,
Col
b
bank,
(
一个
或者
所有
)
NOP
T0 T1 T2 T3T2n T4 T5T1n
T6
t
WR
t
RP
DQ
DQS
DM
DI
b
t
dqss (最小值)
DQ
DQS
DM
DI
b
t
dqss (最大值)
DQ
DQS
DM
DI
b
don’t 小心 transitioning 数据
t
DQSS
t
DQSS
t
DQSS