1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
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38
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图示 28: 写 至precharge odd 号码 的 数据, interrupting
便条:
1. DI
b
= 数据-在 为 column
b
.
2. 一个 interrupted burst 的 8 是 显示; 一个 数据 元素 是 写.
3.
t
wr 是 关联 从 这 第一 积极的 ck 边缘 之后 这 last 数据-在 一双.
4. a10 是 低 和 这 写 command (自动 precharge 是 无能).
5. dqs 是 必需的 在 t4 和 t4n (名义上的 情况) 至 寄存器 dm.
6. 如果 这 burst 的 4 是 使用, dqs 和 dm 将 不 是 必需的 在 t3, t3n, t4 和 t4n.
7. 前 = precharge command.
t
DQSS
t
dqss (nom)
CK
CK#
COMMAND
写 NOP NOP 前
7
NOP NOP
地址
Bank
一个
,
Col
b
bank,
(
一个
或者
所有
)
NOP
T0 T1 T2 T3T2n T4 T5T1n T6
t
WR
t
RP
DQ
DQS
DM
DI
b
t
DQSS
t
dqss (最小值)
DQ
DQS
DM
t
DQSS
t
dqss (最大值)
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
b
don’t 小心 transitioning 数据
T3n T4n
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