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资料编号:491024
 
资料名称:MT46V128M8
 
文件大小: 2354.95K
   
说明
 
介绍:
DOUBLE DATA RATE (DDR) SDRAM
 
 


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1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
1gbddrx4x8x16_2.fm - rev. 一个 3/03 en
40
©2003 micron 技术. 公司
图示 30: 电源-向下
便条:
1. CKE
n
是 这 逻辑 状态 的 cke 在 时钟 边缘 n; cke
n-1
是 这 状态 的 cke 在 这 previous 时钟 边缘.
2. 电流 状态 是 这 状态 的 这 ddr sdram 立即 较早的 至 时钟 边缘 n.
3. COMMAND
n
是 这 command 注册 在 时钟 边缘 n, 和 action
n
是 一个 结果 的 command
n
.
4. 所有 states 和 sequences 不 显示 是 illegal 或者 保留.
5. cke 必须 不 漏出 低 在 一个 column 进入. 为 一个 读, 这个 意思 cke 必须 停留 高 直到 之后 这 读 postamble 时间;
为 一个 写, cke 必须 停留 高 直到 这 写 恢复 时间 (
t
wr) 有 被 符合.
6. 在之上 exit 的 这 自 refresh 模式 这 dll 是 automatically 使能, 但是 一个 dll 重置 必须 安静的 出现. 一个 最小 的 200 时钟
循环 是 需要 在之前 应用 一个 读 command 为 这 dll 至 锁. deselect 或者 nop commands 应当 是 issued 在 任何
时钟 edges occurring 在 这
t
xsnr 时期.
t
t
非 读/写
进入 在 progress
exit 电源-向下 模式
enter 电源-向下 模式
CKE
CK
CK#
COMMAND
NOP
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
NOP NOP 有效的
T0 T1 T2 Ta0 Ta1 Ta2
有效的
don’t 小心
表格 6: 真实 表格 – cke
注释: 1-6
CKE
n-1
CKE
n
电流 状态
COMMAND
n
ACTION
n
注释
llpower-向下 X
维持 电源-向下
自 refresh X
维持 自 refresh
L H 电源-向下 deselect 或者 nop
exit 电源-向下
自 refresh deselect 或者 nop
exit 自 refresh
6
H L 所有 banks 空闲 deselect 或者 nop
precharge 电源-向下 entry
bank(s) 起作用的 deselect 或者 nop
起作用的 电源-向下 entry
所有 banks 空闲 自动 refresh
自 refresh entry
H H 看 表格 7 在 页 41
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