1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
1gbddrx4x8x16_2.fm - rev. 一个 3/03 en
42
©2003 micron 技术. 公司
写 w/自动-
precharge 使能: 开始 和 registration 的 一个 write command 和 自动 precharge 使能 和 ends 当
t
rp 有 被 符合. once
t
rp 是 符合, 这 bank 将 是 在 这 空闲 状态.
5. 这 下列的 states 必须 不 是 interrupted 用 任何 executable command; command inhibit 或者 nop commands 必须 是
应用 在 各自 积极的 时钟 边缘 在 这些 states.
refreshing: 开始 和 registration 的 一个 自动 refresh command 和 ends 当
t
rfc 是 符合. once
t
rfc 是
符合, 这 ddr sdram 将 是 在 这 所有 banks 空闲 状态.
accessing 模式
寄存器: 开始 和 registration 的 一个 加载 模式 寄存器 command 和 ends 当
t
mrd 有 被 符合.
Once
t
mrd 是 符合, 这 ddr sdram 将 是 在 这 所有 banks 空闲 状态.
precharging 所有: 开始 和 registration 的 一个 precharge 所有 command 和 ends 当
t
rp 是 符合. once
t
rp 是
符合, 所有 banks 将 是 在 这 空闲 状态.
6. 所有 states 和 sequences 不 显示 是 illegal 或者 保留.
7. 不 bank-明确的; 需要 那 所有 banks 是 空闲, 和 bursts 是 不 在 progress.
8. 将 或者 将 不 是 bank-明确的; 如果 多样的 banks 是 至 是 precharged, 各自 必须 是 在 一个 有效的 状态 为 precharging.
9. 不 bank-明确的; burst terminate affects 这 大多数 recent 读 burst, regardless 的 bank.
10.读 或者 写 列表 在 这 command/action column 包含 读 或者 写 和 自动 precharge 使能 和 读 或者
写 和 自动 precharge 无能.
11.需要 适合的 dm masking.
12.一个 写 command 将 是 应用 之后 这 completion 的 这 读 burst; 否则, 一个 burst terminate 必须 是 使用 至
终止 这 读 burst 较早的 至 asserting 一个 写 command.
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