首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:491024
 
资料名称:MT46V128M8
 
文件大小: 2354.95K
   
说明
 
介绍:
DOUBLE DATA RATE (DDR) SDRAM
 
 


: 点此下载
  浏览型号MT46V128M8的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号MT46V128M8的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号MT46V128M8的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号MT46V128M8的Datasheet PDF文件第8页
8

9
浏览型号MT46V128M8的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号MT46V128M8的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号MT46V128M8的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号MT46V128M8的Datasheet PDF文件第13页
13
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1gb: x4, x8, x16
ddr sdram
初步的
09005aef8076894f micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
1gbddrx4x8x16_2.fm - rev. 一个 3/03 en
9
©2003 micron 技术. 公司
表格 1: 球/管脚 描述
TSOP
号码 标识 类型 描述
45, 46 ck, ck# 输入
时钟: ck 和 ck# 是 差别的 时钟 输入. 所有 地址 和 控制
输入 信号 是 抽样 在 这 越过 的 这 积极的 边缘 的 ck 和
负的 边缘 的 ck#. 输出 数据 (dq 和 dqs) 是 关联 至 这
crossings 的 ck 和 ck#.
44 CKE 输入
时钟 使能: cke 高 activates 和 cke 低 deactivates 这 内部的
时钟, 输入 缓存区 和 输出 驱动器. 带去 cke 低 提供
precharge 电源-向下 和 自 refresh 行动 (所有 banks 空闲),
或者 起作用的 电源-向下 (行 起作用的 在 任何 bank). cke 是 同步的 为
电源-向下 entry 和 exit, 和 为 自 refresh entry. cke 是
异步的 为 自 refresh exit和 为 disabling 这 输出. cke
必须 是 maintained 高 全部地 读 和 写 accesses. 输入
缓存区 (excluding ck, ck# 和 cke) 是 无能 在 电源- down.
输入 缓存区 (excluding cke) 是 无能 在 自 refresh. cke 是 一个
sstl_2 输入 但是 将 发现 一个 lvcmos
低 水平的 之后 v
DD
是 应用
和 直到 cke 是 第一 brought
高, 之后 这个 它 变为 一个 sstl_2 输入
仅有的.
24 CS# 输入
碎片 选择: cs# 使能 (注册低) 和 使不能运转 (注册 高)
这 command 解码器. 所有 commands 是 masked 当 cs# 是 注册
高. cs# 提供 为 外部 bank 选择 在 系统 和 多样的
banks. cs# 是 考虑 部分 的 这 command 代号.
23, 22,
21
ras#, cas#,
WE#
输入
command 输入: ras#, cas#, 和 we# (along 和 cs#) 定义 这
command 正在 entered.
47 DM 输入
输入 数据 掩饰: dm 是 一个 输入 掩饰信号 为 写 数据. 输入 数据 是
masked 当 dm 是 抽样 高 along 和 那 输入 数据 在 一个
写 进入. dm 是 抽样 在 两个都 edges 的 dqs. 虽然 dm 管脚 是
输入-仅有的, 这 dm 加载 是 设计 至 相一致 那 的 dq 和 dqs 管脚.
为 这 x16, ldm 是 dm 为 dq0–dq7 和 udm 是 dm 为 dq8–dq15. 管脚
20 是 一个 nc 在 x4 和 x8.
20, 47 ldm, udm
26, 27 ba0, ba1 输入
bank 地址 输入: ba0 和 ba1 定义 至 这个 bank 一个 起作用的, 读,
写, 或者 precharge command 是 正在 应用.
29, 30, 31, 32,
35, 36, 37, 38,
39, 40, 28
41, 42
17
a0, a1, a2, a3,
a4, a5, a6, a7,
a8, a9, a10,
a11, a12
A13
输入
地址 输入: 提供 这 行 地址 为 起作用的 commands, 和 这
column 地址 和 自动 precharge 位 (a10) 为 读/写 commands,
至 选择 一个 location 输出 的 这 memory 排列 在 这 各自的 bank. a10
抽样 在 一个 precharge command 确定 whether 这
precharge 应用 至 一个 bank (a10 低, bank 选择 用 ba0, ba1) 或者
所有 banks (a10 高). 这 地址 输入 也 提供 这 运算-代号 在 一个
模式 寄存器 设置 command. ba0 和 ba1 定义 这个 模式 寄存器
(模式 寄存器 或者 扩展 模式 register) 是 承载 在 这 加载
模式 寄存器 command.
2, 4, 5,
7, 8, 10,
11, 13, 54,
56, 57, 59,
60, 62, 63,
65
DQ0–DQ2
DQ3–DQ5
DQ6–DQ8
DQ9–DQ11
DQ12–DQ14
DQ15
i/o
数据 输入/输出: 数据 总线 为
x16
(dq4–dq15 是 nc 为 这 x4)
(dq8–dq16 是 nc 为 这 x8)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com