MT8888C
数据 薄板
17
zarlink 半导体 公司
* exceeding 这些 值 将 导致 永久的 损坏. 函数的 运作 下面 这些 情况 是 不 暗指.
‡ 典型 计算数量 是 在 25
°
c 和 为 设计 aid 仅有的: 不 有保证的 和 不 主题 至 生产 测试.
绝对 最大 比率
*
参数 标识 最小值 最大值 单位
1 电源 供应 电压 v
DD
-v
SS
V
DD
6V
2 电压 在 任何 管脚 V
I
V
SS
-0.3 V
DD
+0.3 V
3 电流 在 任何 管脚 (除了 v
dd 和
V
SS
)10ma
4 存储 温度 T
ST
-65 +150
°
C
5 包装 电源 消耗 P
D
1000 mW
推荐 运行 情况 -
电压 是 和 遵守 至 地面 (v
SS
) 除非 否则 陈述.
参数 sym. 最小值 典型值
‡
最大值 单位 测试 情况
1 积极的 电源 供应 V
DD
4.75 5.00 5.25 V
2 运行 温度 T
O
-40 +85
°
C
3 结晶 时钟 频率 f
CLK
3.575965 3.579545 3.583124 MHz
直流 电的 characteristics
-
†
- v
SS
=0 v.
特性 sym. 最小值 典型值
‡
最大值 单位 测试 情况
1
S
U
P
运行 供应 电压 V
DD
4.75 5.0 5.25 V
2 运行 供应 电流 I
DD
7.0 11 毫安
3 电源 消耗量 P
C
57.8 mW
4
I
N
P
U
T
S
高 水平的 输入 电压
(osc1)
V
IHO
3.5 V 便条 9*
5 低 水平的 输入 电压
(osc1)
V
ILO
1.5 V 便条 9*
6 steering 门槛 电压 V
TSt
2.2 2.3 2.5 V V
DD
=5V
7
O
U
T
P
U
T
S
低 水平的 输出 电压
(osc2) V
OLO
0.1 V
非 加载
便条 9*
8 高 水平的 输出 电压
(osc2) V
OHO
4.9 V
非 加载
便条 9*
9 输出 泄漏 电流
(irq) I
OZ
110
µ
AV
OH
=2.4 v
10 V
Ref
输出 电压 V
Ref
2.4 2.5 2.6 V 非 加载, v
DD
=5V
11 V
Ref
输出 阻抗 R
或者
1.3 k
Ω
12
D
i
g
i
t
一个
l
低 水平的 输入 电压 V
IL
0.8 V
13 高 水平的 输入 电压 V
IH
2.0 V
14 输入 泄漏 电流 I
IZ
10
µ
AV
在
=V
SS
至 v
DD
15
数据
总线
源 电流 I
OH
-1.4 -6.6 毫安 V
OH
=2.4v
16 下沉 电流 I
OL
2.0 4.0 毫安 V
OL
=0.4v
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