进步 信息
MT88E45
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* exceeding 这些 值 将 导致 永久的 损坏. 函数的 运作 下面 这些 情况 是 不 暗指.
**
下面 正常的 运行 情况 电压 在 任何 管脚 除了 供应 能 是 最小 v
SS
-1v 至 最大 v
DD
+1v 为 一个 输入 电流
限制 至 较少 比 200
µΑ
‡ 典型 figures 是 在 25
o
c 和 是 为 设计 aid 仅有的: 不 有保证的 和 不 主题 至 生产 测试.
绝对 最大 ratings*
-
电压 是 和 遵守 至 v
SS
除非 否则 陈述
参数 标识 最小值 最大值 单位
1 供应 电压 和 遵守 至 v
ss
V
DD
-0.3 6 V
2 电压 在 任何 管脚 其它 比 供应
**
V
管脚
V
ss
-0.3 V
DD
+0.3 V
3 电流 在 任何 管脚 其它 比 供应 I
管脚
10 毫安
4 存储 温度 T
ST
-65 150
o
C
推荐 运行 情况
- 电压 是 和 遵守 至 地面 (v
SS
) 除非 否则 陈述.
特性 Sym 最小值 典型值
‡
最大值 单位
1 电源 供应 V
DD
2.7 5.5 V
2 时钟 频率 f
OSC
3.579545 MHz
3 容忍 在 时钟 频率
∆
fc -0.1 +0.1 %
4 运行 温度 T
运算
-40 85
o
C
直流 电的 特性
†
特性 Sym 最小值 典型值
‡
最大值 单位 测试 情况
1
S
U
P
P
L
Y
备用物品 供应
电流
I
DDQ
0.1 15
µ
一个 所有 输入 是
V
DD
/v
SS
除了
为 振荡器 管脚.
非 相似物 输入.
输出 unloaded.
cb0/1/2 = 1/0/0
2 运行 供应
电流
V
DD
= 5v
±
10%
V
DD
= 3v
±
10%
I
DD
3.0
1.7
8
4.5
毫安
毫安
所有 输入 是
V
DD
/v
SS
除了
为 振荡器 管脚.
非 相似物 输入.
输出 unloaded.
3 电源 消耗量 PO 44 mW
4
DCLK
施密特 输入 高
门槛
V
T+
0.48*v
DD
0.68*v
DD
V
施密特 输入 低
门槛
V
t-
0.28*v
DD
0.48*v
DD
V
5 施密特 hysteresis V
HYS
0.2 V
6
CB0
CB1
CB2
cmos 输入 高
电压
V
IH
0.7*v
DD
V
DD
V
cmos 输入 低
电压
V
IL
V
SS
0.3*v
DD
V
7
DCLK
数据
dr/标准
cd, est
st/gt
输出 高
源 电流
I
OH
0.8 毫安 V
OH
=0.9*v
DD
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