MTP75N03HDL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 5 v
V
GS
= 5 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 37.5 一个
0.4 0.8 1.2 1.6 20 0.2 0.6 1 1.4 1.8
30
60
90
120
150
0
2 2.5 3.5 4 4.51.5
30
60
90
120
150
0
3
30 60 90 120 1500
0.01
0.002
0.008
0.006
0.004
25 50 100 125 1500
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
0.004
75
25 100 150–50 –25 0 50 75 125
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
10 20 300 5 15 25
10
100
1000
10000
1
10 v
100
°
C
25
°
C
T
J
= 125
°
C
100
°
C
25
°
C
T
J
= –55
°
C
3.5 v
3 v
4 v
2.5 v
4.5 v
5 v
8 v
6 v
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