MTSF3N02HD
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 最大值 单位
drain–to–source 电压 V
DSS
20 V
drain–to–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
20 V
gate–to–source 电压 — 持续的 V
GS
±
8.0 V
1 inch sq.
fr–4 或者 g–10 pcb
图示 1 在下
稳步的 状态
热的 阻抗 — 接合面 至 包围的
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
直线的 减额 因素
流 电流 — 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
持续的 @ t
一个
= 70
°
C
搏动 流 电流
(1)
R
THJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
70
1.79
14.29
6.1
4.9
49
°
c/w
Watts
mw/
°
C
一个
一个
一个
最小
fr–4 或者 g–10 pcb
图示 2 在下
稳步的 状态
热的 阻抗 — 接合面 至 包围的
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
直线的 减额 因素
流 电流 — 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
持续的 @ t
一个
= 70
°
C
搏动 流 电流
(1)
R
THJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
160
0.78
6.25
4.0
3.2
32
°
c/w
Watts
mw/
°
C
一个
一个
一个
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
– 55 至 150
°
C
(1) repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
图示 1. 1.0 inch 正方形的 fr–4 或者 g–10 pcb 图示 2. 最小 fr–4 或者 g–10 pcb
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