mw4ic915nbr1 mw4ic915gnbr1 mw4ic915mbr1 mw4ic915gmbr1
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rf 设备 数据
freescale 半导体
表格 5. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(持续 )
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
典型 performances
(在 freescale 涉及 板) v
DS
= 26 v, i
DQ1
= 60 毫安, i
DQ2
= 240 毫安, 869 mhz<频率>960 mhz
安静的 电流 精度 在 温度
和 1.8 k
Ω
门 喂养 电阻器 (
−
10 至 85
°
c)
(1)
∆
I
QT
—
±
5 — %
增益 flatness 在 40 mhz 带宽 @ p
输出
= 3 w cw G
F
— 0.2 — dB
背离 从 直线的 阶段 在 40 mhz 带宽 @ p
输出
= 3 w cw
Φ
—
±
0.6 —
°
延迟 @ p
输出
= 3 w cw 包含 输出 相一致 延迟 — 2.5 — ns
部分
−
至
−
部分 阶段 变化 @ p
输出
= 3 w cw
∆Φ
—
±
15 —
°
典型 gsm/gsm 边缘
Performances
(在 freescale 涉及 板) v
DS
= 26 v, i
DQ1
= 60 毫安, i
DQ2
= 240 毫安,
869 mhz<频率<960 mhz
输出 电源, 1db 压缩 要点 P1dB — 20 — Watts
电源 增益 @ p
输出
= 15 w cw G
ps
— 30 — dB
电源 增加 效率 @ p
输出
= 15 w cw PAE — 44 — %
输入 返回 丧失 @ p
输出
= 15 w cw IRL —
−
15 — dB
错误 vector 巨大 @ p
输出
= 3 w avg. 包含
0.6% rms 源 evm
EVM — 1.5 — % rms
谱的 regrowth 在 400 khz 补偿 @ p
输出
= 3 w avg. SR1 —
−
65 — dBc
谱的 regrowth 在 600 khz 补偿 @ p
输出
= 3 w avg. SR2 —
−
83 — dBc
1. 谈及 至 an1977/d,
安静的 电流 热的 追踪 电路 在 这 rf 整体的 电路 家族.
go 至 http://www.freescale.com/rf.
选择 必备资料/应用 注释
−
an1977.
便条
−
提醒
−
mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
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