n-频道 逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
至-252 和 至-251 包装.
绝对 最大 比率 (t
C
=25 c 除非 否则 指出)
samhop 微电子学 corp.
1
产品 summary
V
DSS
I
D
R
ds(在) (m
W
) 典型值
30V
30A
11.5 @ v
GS
= 10v
特性
超级的 高 dense cell 设计 为 低 r
ds(在
).
坚毅的 和 可依靠的.
S
G
D
sdu 序列
至-252aa(d-pak)
sdd 序列
至-251(l-pak)
G
G
S
S
D
D
sdu/d30n03l
热的 特性
热的 阻抗, 接合面-至-情况
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
R
JC
3
50
R
JA
/w
C
/w
C
30
参数 标识
限制 单位
流-源 电压
V
DS
V
门-源 电压
V
GS
V
-搏动
30
I
D
一个
90
I
DM
一个
流-源 二极管 向前 电流 30
I
S
一个
最大 电源 消耗
P
D
W
运行 和 存储
温度 范围
T
J
, t
STG
-55 至 175
C
@tc=25 c
减额 在之上 25 c
50
0.3
w/ c
流 电流-持续的 @tj=125 c
一个
20
july, 2002
17 @ v
GS
= 4.5v