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资料编号:499994
 
资料名称:SUD40N08-16
 
文件大小: 60.13K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 80-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
 
 


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sud40n08-16
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码: 71323
s-40272—rev. c, 23-二月-04
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
50
25 0 25 50 75 100 125 150 175
在-阻抗vs. 接合面 temperature 源-流 二极管 向前电压
T
J
接合面 温度 (
c) V
SD
源-至-流 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
100
1
0.01
0.3 0.6 0.9 1.2
V
GS
= 10 v
I
D
= 40 一个
0
0.1
10
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
r
ds(在)
在-resiistance
(normalized)
热的比率
Safe运行 范围
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
10
0.1
0.1 1 10 100
限制 用 r
ds(在)
1
1000
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-情况
正方形的 波脉冲波 持续时间 (秒)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
110
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
最大 avalanche流 电流
vs. 情况 temperature
T
C
情况 温度 (
c)
流 电流 (一个)I
D
0
10
20
30
40
50
0 25 50 75 100 125 150 175
0.2
0.1
职责 循环 = 0.5
10 ms
100 ms
1 s, 直流
30
100
s
10
s
1 ms
0.05
0.02
单独的 脉冲波
100
T
C
= 25
C
单独的 脉冲波
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