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资料编号:501333
 
资料名称:N28F020-150
 
文件大小: 878.8K
   
说明
 
介绍:
28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
28F020
E
22
4.5 直流 特性
—cmos compatible—commercial 产品
(持续)
限制
标识 参数 注释 最小值 典型值
(3)
最大值 单位 测试 情况
V
OH1
输出 高
电压
0.85
V
CC
VV
CC
= v
CC
最小值
I
OH
=
–2.5 毫安
V
OH2
V
CC
0.4
V
CC
= v
CC
最小值
I
OH
= –100 µa
V
ID
一个
9
Intelligent
identifier 电压
11.50 13.00 V
I
ID
一个
9
Intelligent
identifier 电流
1, 2 90 200 µA 一个
9
= v
ID
V
PPL
V
PP
读-仅有的
行动
0.00 6.5 V
便条:
擦掉/programs
是 inhibited 当
V
PP
= v
PPL
V
PPH
V
PP
读/写
行动
11.40 12.60 V
V
LKO
V
CC
擦掉/写
锁 电压
2.5 V
4.6 直流 特性
—ttl/nmos compatible—extended 温度
产品
限制
标识 参数 注释 最小值 典型值
(3)
最大值 单位 测试 情况
I
LI
输入 泄漏
电流
1
±1.0 µA V
CC
= v
CC
最大值
V
= v
CC
或者 v
SS
I
LO
输出 泄漏
电流
1 ±10 µA V
CC
= v
CC
最大值
V
输出
= v
CC
或者
V
SS
I
CCS
V
CC
备用物品
电流
1 0.3 1.0 毫安 V
CC
= v
CC
最大值
ce# = v
IH
I
CC1
V
CC
起作用的 读
电流
11030mAV
CC
= v
CC
最大值
ce# = v
IL
f = 6 mhz
I
输出
= 0 毫安
I
CC2
V
CC
程序编制
电流
1, 2 1.0 30 毫安 程序编制 在
Progress
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