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资料编号:501333
 
资料名称:N28F020-150
 
文件大小: 878.8K
   
说明
 
介绍:
28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
28F020
25
4.7 直流 特性
—cmos compatible—extended 温度 产品
(持续)
限制
标识 参数 注释 最小值 典型值
(3)
最大值 单位 测试 情况
I
CC4
V
CC
程序-
核实 电流
1, 2 5.0 30 毫安 V
PP
= v
PPH
程序 核实 在
Progress
I
CC5
V
CC
擦掉 核实
电流
1, 2 5.0 30 毫安 V
PP
= v
PPH
擦掉 核实 在
Progress
I
PPS
V
PP
泄漏
电流
1
±10 µA V
PP
V
CC
I
PP1
V
PP
电流,
id 电流 或者
备用物品 电流
1 90 200 µA V
PP
> v
CC
±10 V
PP
V
CC
I
PP2
V
PP
程序编制
电流
1, 2 8 30 毫安 V
PP
= v
PPH
程序编制 在
Progress
I
PP3
V
PP
擦掉
电流
1, 2 10 30 毫安 V
PP
= v
PPH
erasure 在
Progress
I
PP4
V
PP
程序
核实 电流
1, 2 2.0 5.0 毫安 V
PP
= v
PPH
程序 核实
在 progress
I
PP5
V
PP
擦掉 核实
电流
1, 2 2.0 5.0 毫安 V
PP
= v
PPH
擦掉 核实 在
Progress
V
IL
输入 低
电压
–0.5 0.8 V
V
IH
输入 高
电压
0.7
V
CC
V
CC
+
0.5
V
V
OL
输出 低
电压
0.45 V V
CC
= v
CC
最小值
I
OL
= 5.8 毫安
V
OH1
输出 高
电压
0.85
V
CC
VV
CC
= v
CC
最小值
I
OH
= –2.5 毫安
V
OH2
V
CC
0.4
V
CC
= v
CC
最小值
I
OH
= –100 µa
V
ID
一个
9
Intelligent
identifier 电压
11.50 13.00 V
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