AUTOMOTIVE 80C31BH80C51BH87C51
非易失存储器 程序编制 和 VERIFICATION 波形
270419–22
为 程序编制 情况 看 图示 11
为 VERIFICATION 情况 看 图示 13
数据手册 修订 SUMMARY
这 下列的 是 这 关键 differences 在 这个 数据手册 和 这 -006 version
1 这 ‘‘preliminary’’ 状态 是 移除 和 replaced 和 生产 状态 (非 label)
2 商标 是 updated
这 下列的 是 这 关键 differences 在 这 -005 和 这 -006 版本 的 这 datasheet
1 初步的 注意 增加 至 标题 page
2 图示 3 管脚 连接 这 NC
管脚 是 now 保留
pins
3 图示 3 管脚 连接 RST 管脚 是 now 重置 pin
4 RST 管脚 描述 是 now 重置 管脚 description
5 图示 4 这 电容 值 有 被 removed
6 CERDIP 部分 涉及 在 这 DC 特性 部分 有 被 removed
7 I
CC
最大值 特性 有 被 corrected 至 反映 测试 程序 conditions
8 T
AVIV
和 T
RLDV
formulas changed 至 correlate 12 MHz timings
这 下列的 是 这 关键 differences 在 这 -004 和 这 -005 版本 的 这个 datasheet
1 移除 references 至 烧-在 选项 在 表格 1 和 增加 explanation 的 烧-在 offered 移除
references 至 商业的 temperatures
2 Deleted 涉及 至 ‘‘
b
1’’ designation 16 MHz
3 Differentiated V
CC
为 ROMROMless 和 EPROM
这 下列的 是 这 关键 differences 在 这 -002 和 这 -003 版本 的 这个 datasheet
1 Changed 这 标题 至 80C31BH80C51BH87C51 CHMOS 单独的-碎片 8-位 Microcontroller
2 增加 这 管脚 计数 为 各自 包装 版本 在 图示 2
3 移除 references 至 烧-在 选项 在 表格 1
4 增加 外部 振荡器 开始-向上 设计 considerations
这 下列的 是 这 关键 differences 在 这 -002 和 这 -001 版本 的 这 80C51BH datasheet
1 最大 I
OL
每 IO 管脚 added
2 便条 7 在 最大 电流 规格 增加 至 直流 Characterstics
3 数据手册 修订 Summary added
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