NCP1200
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如果 这 泄漏 电感 是 保持 低, 这 mtd1n60e 能
承受
意外的
avalanche 活力, e.g. 在 一个
high−voltage 尖刺 superimposed 在 这 mains, 没有
这 帮助 的 一个 夹紧 网络. 如果 这个 泄漏 path
permanently forces 一个 drain−source 电压 在之上 这
场效应晶体管bvdss (600 v), 一个 夹紧 网络 是 mandatory
和 必须 是 建造 周围 rclamp 和 clamp. dclamp 将要
react极其 快 和 能 是 一个 mur160 类型. 至计算
这 组件 值, 这 下列的 formulas 将 帮助 你:
R
clamp
=
2
V
clamp
(v
clamp
(v
输出
Vf 秒)
n)
L
leak
Ip
2
Fsw
C
clamp
V
clamp
V
波纹
Fsw
R
clamp
和:
V
clamp
: 这 desired 夹紧 水平的, 必须 是 选择 至 是
在 40 v 至 80 v 在之上 这 反映 输出 电压
当 这 供应 是 heavily 承载.
V
输出
+ vf
: 这 管制 输出 电压 水平的 + 这 secondary
二极管 电压 漏出
L
leak
: 这 primary 泄漏 电感
N
: 这 ns:np 转换 比率
F
SW
: 这 切换 频率
V
波纹
: 这 夹紧 波纹, 可以 是 周围 20 v
另一 选项 lies 在 implementing 一个 snubber 网络
这个 将 damp 这 泄漏 振动 但是 也 提供
更多 电容 在 这 场效应晶体管’s turn−off. 这 顶峰
电压 在 这个 这 泄漏 forces 这 流 是 计算
用:
V
最大值
Ip
L
leak
C
lump
在哪里 c
lump
代表 这 总的 parasitic 电容 seen
在 这 场效应晶体管 opening. 典型 值 为 rsnubber 和
csnubber 在 这个 4w 应用 可以 各自 是 1.5
k
和 47 pf.更远 tweaking 是 nevertheless 需要 至
tune 这 dissipated 电源 相比 备用物品 电源.
有 documents
“implementing 这ncp1200 在 low−cost ac−dc
converters”, and8023/d.
“conducted emi 过滤 设计 为 这 ncp1200’’,
and8032/d.
“ramp 补偿 为 这 ncp1200’’, and8029/d.
瞬时 和 交流 模型 有 至 下载 在:
http://onsemi.com/pub/ncp1200
ncp1200 设计 spreadsheet 有 至 下载 在:
http://onsemi.com/pub/ncp1200
订货 信息
设备 类型 标记 包装 Shipping
†
NCP1200P40 1200P40 PDIP−8 50 单位 / 栏杆
NCP1200P40G
F 40 kHz
1200P40 PDIP−8
(pb−free)
50 单位 / 栏杆
NCP1200D40R2
F
SW
= 40 khz
200D4 SOIC−8 2500 单位 /卷轴
NCP1200D40R2G 200D4 SOIC−8
(pb−free)
2500 单位 /卷轴
NCP1200P60 1200P60 PDIP−8 50 单位 / 栏杆
NCP1200P60G
F 60 kHz
1200P60 PDIP−8
(pb−free)
50 单位 / 栏杆
NCP1200D60R2
F
SW
= 60 khz
200D6 SOIC−8 2500 单位 /卷轴
NCP1200D60R2G 200D6 SOIC−8
(pb−free)
2500 单位 /卷轴
NCP1200P100 1200P100 PDIP−8 50 单位 / 栏杆
NCP1200P100G
F 100 kHz
1200P100 PDIP−8
(pb−free)
50 单位 / 栏杆
NCP1200D100R2
F
SW
= 100 khz
200D1 SOIC−8 2500 单位 / 卷轴
NCP1200D100R2G 200D1 SOIC−8
(pb−free)
2500 单位 / 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格, 包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请 谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装
规格 brochure, brd8011/d.
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