ncp1216, ncp1216a
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12
315.4u 882.7u 1.450m 2.017m 2.585m
300
200
100
0
图示 23. 这 skip 循环 takes 放置 在 低 顶峰
电流 这个 guarantees 噪音 自由 运作
skip 循环
电流 限制
最大值 顶峰
电流
non−latching 关闭
在 一些 具体情况, 它 might 是 desirable 至 shut 止 这 部分
temporarily 和 授权 它的 重新开始 once 这 default 有
disappeared. 这个 选项 能 容易地 是 accomplished
通过 一个 单独的 npn 双极 晶体管 连线的 在 fb
和 地面. 用 拉 fb 在下 这 adj 管脚 1 水平的, 这
输出 脉冲 是 无能 作 长 作 fb 是 牵引的 在下
管脚 1. 作soon 作 fb 是 relaxed, 这 ic 重新开始 它的 运作.
图示 24
depicts 这 应用 例子:
图示 24. 另一 方法 的 关闭 向下 这 ic
没有 一个 definitive latchoff 状态
8
7
6
5
1
2
3
4
Q1
开关
一个 全部 闭锁 关闭, 包含 overtemperature
保护, 是 描述 在 应用 便条 and8069/d.
电源 消耗
这 ncp1216 是 直接地 有提供的 从 这 直流 栏杆
通过 这 内部的 dss 电路系统. 这 电流 流
通过 这 dss 是 因此 这 直接 image 的 这
ncp1216 电流 消耗量. 这 总的 电源 消耗
能 是 evaluated 使用:
(v
HVDC
11 v)
I
CC2
(eq. 10)
这个 是, 作 我们 锯, 直接地 related 至 这 场效应晶体管 q
g
. 如果
我们 运作 这 设备 在 一个 90−250 vac 栏杆, 这 最大
调整的 电压 能 go 向上 至 350 vdc. 不管怎样, 作 这
描绘 曲线 显示, 这 电流 消耗量
drops 在 一个高等级的 接合面 温度, 这个 quickly occurs
预定的 至 这 dss 运作. 在 我们的 例子, 在
T
包围的
= 50
°
c, i
CC2
是 量过的 至 是 2.9 毫安 和 一个
10 一个 / 600 v 场效应晶体管. 作 一个 结果, 这 ncp1216 将
dissipate 从 一个 250 vac 网络,
350 V
2.9 mA@T
一个
50 C
1W
(eq. 11)
°
这 pdip−7 包装 提供 一个 junction−to−ambient 热的
阻抗 r
J−A
的 100
°
c/w. adding 一些 铜 范围
周围 这 pcb footprint 将 帮助 减少 这个 号码:
12 mm x 12 mm 至 漏出 r
J−A
向下 至 75
°
c/w 和 35
铜 厚度 (1 oz.) 或者 6.5 mm x 6.5 mm 和 70
铜 厚度 (2 oz.). 为 一个 soic−8, 这 原来的
178
°
c/w 将 漏出 至 100
°
c/w 和 这 一样 数量 的
铜. with 这个 后来的 pdip−7 号码, 我们 能 计算 这
最大 电源 消耗 那 这 包装 accepts 在 一个
包围的 的 50
°
c:
P
最大值
T
Jmax
T
Amax
R
J
一个
1W
(eq. 12)
这个 barely matches 我们的 previous budget. 一些
解决方案 exist 至 帮助 improving 这 situation:
1. insert 一个 电阻 在 序列 和 管脚 8:
这个 电阻 将
引领 一个部分 的 这 热温 正常情况下 dissipated 用 这 ncp1216.
calculations 的 这个 电阻 imply 那 v
pin8
做 不 漏出
在下 30 v 在这 最低 mains 情况. 因此, r
漏出
能 是 选择 和:
R
漏出
V
bulkmin
50 V
8mA
(eq. 13)
在 我们的 情况, v
大(量)
最小 是 120 vdc, 这个 leads 至 一个
dropping 电阻 的 8.7 k
. 和 这 在之上 例子 在
mind, 这 dss 将 展览 一个 duty−cycle 的:
2.9 毫安
8mA
36%
(eq. 14)
用 inserting 这 8.7 k
电阻, 我们 漏出
8.7 k
*8mA
69.6 V
(eq. 15)
在 这 dss 触发. 这 电源 dissipated 用 这
ncp1216 是 因此:
P
instant
*DSS
职责
循环
(eq. 16)
(350
69) * 8 m * 0.36
800 mW
我们 能 通过 这 限制 和 这 电阻 将 dissipate
(eq. 17)
1W
800 mW
200 mW
或者
(eq. 18)
p
漏出
69
2
8.7 k
*0.36
2. 选择 一个 场效应晶体管 和 一个 更小的 q
g
:
确实 mosfets
展览 不同的 总的 门 charges 取决于 在 这
技术 它们 使用. 细致的 选择 的 这个 组件
能 帮助 至 significantly decrease 这 dissipated 热温.
3. 执行 图示 3, 从 an8069/d, 解决方案:
这个 是
另一 可能 选项 至 保持 这 dss 符合实际(好的
short−circuit保护 和 emi jittering) 当 驱动 任何
类型 的mosfets. 这个 解决方案 是 推荐 当 这
设计者 plans 至 使用 soic−8 控制者.
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