ncp1216, ncp1216a
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这 场效应晶体管 驱动, establishes 在 2.9 毫安, 我们 能 计算
这 必需的 电容 使用 这 下列的 formula:
t
V·C
i
(eq. 19)
和
v = 2.2 v. 然后 为 一个 wanted
t 的 30 ms, c 相等
39.5
f 或者 一个 68
f 为 一个 标准 值 (包含
±
20%
dispersions). 当 一个 超载 情况 occurs, 这 ic
blocks 它的 内部的 电路系统 和 它的 消耗量 drops 至
350
一个 典型. 这个 发生 在 v
CC
= 10 v 和 它 仍然是
stuck 直到 v
CC
reaches 5.6 v: 我们 是 在 latchoff 阶段.
又一次, 使用 这 选择 68
f 和 350
一个 电流
消耗量, 这个 latchoff 阶段 lasts: 780 ms.
protecting 这 控制 相反 负的 尖刺
作 和 任何 控制 建造 在之上 一个 cmos 技术, 它
是 这 设计者’s 职责 至 避免 这 存在 的 负的
尖刺 在敏感的 管脚. 负的 信号 有 这 bad habit
至 向前 偏差 这 控制 基质 和 induce erratic
behaviors. sometimes, 这 injection 能 是 所以 强 那
内部的 parasitic scrs 是 triggered, engendering
irremediable 损坏 至 这 ic 如果 一个 低 阻抗 path 是
offered 在 v
CC
和 地. 如果 这 电流 sense 管脚 是
常常 这 seat 的 此类 spurious 信号, 这 high−voltage 管脚
能 也 是 这 源 的 问题 在 确实 circumstances.
在这 turn−off sequence, e.g. 当 这 用户 unplugs 这
电源 供应, 这 控制 是 安静的 喂养 用 它的 v
CC
电容
和 keeps activating 这 场效应晶体管 在 和 止 和 一个 顶峰
电流 限制 用 r
sense
. unfortunately, 如果 这 质量
系数 q 的 这 resonating 网络 formed 用 l
p
和
C
大(量)
是 低 (e.g. 这 场效应晶体管 r
dson
+ r
sense
是 小),
情况 是 符合 至 制造 这 电路 resonate 和 因此
negatively偏差 这 控制. 自从 我们 是 talking 关于 ms
脉冲, 这 数量 的 injected 承担, (q = i * t),
立即 latches 这 控制 那 brutally discharges
它的 v
CC
电容. 如果这个 v
CC
电容 是 的 sufficient 值,
它的 贮存 活力 损坏 这 控制. 图示 26 depicts
一个 典型 负的 shot occurring 在 这 hv 管脚 在哪里 这
brutal v
CC
释放 testifies 为 latchup.
图示 26. 一个 负的 尖刺 takes 放置 在 这 大(量) 电容 在 这 switch−off sequence
V
CC
5 v/div
10 ms/div
V
获得
1 v/div
0
简单的 和 inexpensive cures exist 至 阻止 从
内部的 parasitic scr 触发. 一个 的 它们 组成 在
inserting 一个 电阻 在 序列 和 这 high−voltage 管脚 至
保持 这 负的 电流 至 这 最低 当 这 大(量)
变为 负的 (图示 27). 请 便条 那 这 负的
尖刺 是 clamped 至(−2 * v
f
) 预定的 至 这 二极管 桥. 也,
这 电源 消耗 的 这个 电阻 是 极其 小 自从
它 仅有的 heats 向上 在 这 startup sequence.
另一 选项 (图示 28) 组成 在 线路 一个 二极管
从 v
CC
至 这 大(量) 电容 至 强迫 v
CC
至 reach
VCC
在
sooner 和 因此 stops 这 切换 activity 在之前
这 大(量) 电容 gets deeply 释放. 为 安全
reasons, 二 二极管 能 是 连接 在 序列.
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