NCV4279B
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2
V
输出
地
V
在
R
ADJ
NCV4279B
10
µ
F
10 k
R
RST
重置
10
µ
F
微处理器
延迟
C
延迟
V
BAT
V
DD
标记
图示 1. 应用 图解
MON
R
FLG
10 k
i/o
i/o
最大 ratings*
比率 值 单位
V
在
(直流) −15 至 45 V
顶峰 瞬时 电压 (46 v 加载 丢弃 @ v
在
= 14 v) 60 V
运行 电压 45 V
V
输出
(直流) 16 V
电压 范围 (重置, 标记) −0.3 至 10 V
输入 电压 范围 (mon) −0.3 至 10 V
静电释放 susceptibility (人 身体 模型) 2.0 kV
接合面 温度, t
J
−40 至 +150
°
C
存储 温度, t
S
−55 至 150
°
C
包装 热的 阻抗, so−8:
junction−to−case, r
θ
JC
junction−to−ambient, r
θ
JA
45
165
°
c/w
包装 热的 阻抗, so−14 (fused) 最小 垫子 数据:
junction−to−case, r
θ
JC
junction−to−ambient, r
θ
JA
junction−to−pin, r
θ
JP
(便条 3)
15
110
33
°
c/w
包装 热的 阻抗, so−20l (fused) 最小 垫子 数据:
junction−to−case, r
θ
JC
junction−to−ambient, r
θ
JA
junction−to−pin, r
θ
JP
(便条 4)
12
82
26
°
c/w
含铅的 温度 焊接: 软熔焊接: (smd 样式 仅有的) (注释 1, 2) 240 顶峰
°
C
1. 60 第二 最大 在之上 183
°
c.
2. −5
°
c/+0
°
c 容许的 情况.
3. 量过的 至 管脚 9.
4. 量过的 至 管脚 12.
*the 最大 包装 电源 消耗 必须 是 observed.
†during 这 电压 范围 这个 超过 这 最大 测试 电压 的 v
在
, 运作 是 使确信, 但是 不 指定. wider 限制 将 应用.
热的 消耗 必须 是 observed closely.
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