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资料编号:513394
 
资料名称:NDC7001C
 
文件大小: 284.59K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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ndc7001c.sam
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = 250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0.001
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v =0v
GS
SD
S
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
-10
-8
-6
-4
-2
0
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
-48
v = -12v
DS
i = -0.34a
D
-24
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
1
2
5
10
20
50
100
-v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
iss
C
rss
图示 18.p-频道损坏 电压
变化 和 温度.
图示 19.p-频道身体 二极管 向前
电压 变化 和 电流 和
温度
.
图示 20.p-频道电容 特性.
图示 21.p-频道门 承担 特性.
典型 电的 特性: p-频道(持续)
-1-0.8-0.6-0.4-0.2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
i , 流 电流 (一个)
g , 跨导 (siemens)
t = -55°c
J
D
FS
v =- 10v
DS
125°C
25°C
图示 22.p-频道跨导 变化 和
流 电流 和 温度.
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