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资料编号:513757
 
资料名称:NDP6020
 
文件大小: 376.54K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250µ一个 20 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 16v,V
GS
= 0 v 1 µ一个
T
J
= 55°C 10 毫安
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 8v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转 V
GS
= -8v,V
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 1)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µ一个 0.4 0.62 1 V
T
J
= 125°c 0.2 0.35 0.7
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
=4.5v,I
D
= 18一个 0.019 0.023
T
J
= 125°c 0.024 0.032
V
GS
= 2.7v,I
D
= 16一个 0.024 0.028
I
D(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 4.5 v, v
DS
= 5V 60 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 5v, i
D
= 18一个 29 S
动态特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= 10v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
1170 pF
C
oss
输出 电容 610 pF
C
rss
反转 转移 电容 180 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 1)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= 20v, i
D
= 35一个,
V
GS
= 5 v, r
GEN
= 10
R
L
= 0.5
7 20 nS
t
r
转变 - 在 上升 时间 148 300 nS
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 98 200 nS
t
f
转变 - 止 下降 时间 233 450 nS
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= 15v,
I
D
= 35一个, v
GS
= 5 v
32 45 nC
Q
gs
门-源 承担 6 nC
Q
gd
门-流 承担 11 nC
ndp6020 rev.c
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