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资料编号:513801
 
资料名称:NDS8839H
 
文件大小: 350.58K
   
说明
 
介绍:
Complementary MOSFET Half Bridge
 
 


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nds8839h rev. a1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
5
10
15
20
25
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
DS
D
v =10v
GS
6.0
4.0
3.5
3.0
5.0
4.5
0 5 10 15 20 25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
r , normalized
ds(在)
v = 3.0v
GS
D
4.0
10
6.0
4.5
5.0
3.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = -10v
GS
i = -4.0a
D
r , normalized
ds(在)
-4-3-2-10
-20
-15
-10
-5
0
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
v = -10v
GS
DS
D
-4.0
-6.0
-5.0
-3.5
-3.0
-4.5
-20-16-12-8-40
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v = -3.5v
GS
-10
-5.0
-6.0
- 4.0
-4.5
典型 电的 特性
图示 1. n-频道 在-区域 特性.
图示 2. p-频道 在-区域 特性.
图示 3. n-频道 在-阻抗 变化
门 电压 和 流 电流.
图示 4. p-频道 在-阻抗 变化
和 门 电压 和 流 电流.
图示 5. n-频道 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 6.p-频道在-阻抗 变化
和 温度.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v =10v
GS
i = 4.0a
D
r , normalized
ds(在)
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