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资料编号:513801
 
资料名称:NDS8839H
 
文件大小: 350.58K
   
说明
 
介绍:
Complementary MOSFET Half Bridge
 
 


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nds8839h rev. a1
0 5 10 15 20 25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
v = 10v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
r , normalized
ds(在)
-20-16-12-8-40
0.5
1
1.5
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v = -10v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
-6-5-4-3-2-1
-20
-15
-10
-5
0
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
v = -10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
25°C
125°C
1 2 3 4 5 6
0
5
10
15
20
25
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
v = 10v
DS
GS
D
t = -55°c
J 25°C
125°C
图示 7.n-频道在-阻抗 变化
和 流 电流 和 温度.
图示 8.p-频道在-阻抗 变化
和 流 电流 和 温度
.
图示 9.n-频道转移
特性.
图示 10.p-频道转移
特性.
典型 电的 特性
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
i = 250µa
D
v = v
DS GS
v , normalized
th
图示 11.n-频道门 门槛 变化
和 温度.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
i = -250µa
D
v = v
DS
GS
J
v , normalized
th
图示 12.P-频道门 门槛 变化
和 温度.
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