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资料编号:513801
 
资料名称:NDS8839H
 
文件大小: 350.58K
   
说明
 
介绍:
Complementary MOSFET Half Bridge
 
 


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nds8839h rev. a1
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = 250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 30
100
200
500
1000
1500
2000
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
0 5 10 15 20 25
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
-v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = -4.0a
D
v = -5v
DS
-10v
-20v
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = -250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 30
100
200
300
500
1000
2000
-v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
典型 电的 特性
图示 13.N-频道损坏 电压
变化 和 温度.
图示 15.N-频道电容
特性.
图示 17.n-频道门 承担特性.
0 5 10 15 20 25
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = 4.0a
D
v = 5v
DS
10V
20V
图示 14.P-频道损坏 电压
变化 和 温度.
图示 18.P-频道门 承担特性.
图示 16.P-频道电容
特性.
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